脱挂式索道（电工基础）.pptVIP

Q:电容器极板上所带的电量 U:两极板间的电压 电容反映了电容器储存电荷能力的大小，它只与电容本身的性质有关，与电容器所带的电量及电容器两极板间的电压无关。 * 1、电阻串联，每个电阻中流过的电流相等； 2、电阻串联电路的总电压等于各电阻上的电压之和； 3 、电阻串联电路的总等效电阻等于各串联电阻之和； 4．串联电阻电路的各电阻上的电压与它们的电阻成正比； 5 ．串联电阻电路的每个电阻上的功率也与它们的电阻成正比； * 晶闸管是在晶体管基础上发展起来的一种大功率半导体器件。它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域。 晶闸管也像半导体二极管那样具有单向导电性，但它的导通时间是可控的，主要用于整流、逆变、 调压及开关等方面。 优点： 体积小、重量轻、效率高、动作迅速、维修简单、操作方便、寿命长、 容量大（正向平均电流达千安、正向耐压达数千伏）。 * 晶闸管相当于PNP和NPN型两个晶体管的组合 * 晶闸管导通的条件： 晶闸管阳极电路(阳极与阴极之间)施加正向电压。 晶闸管控制电路(控制极与阴极之间)加正向电压或正向脉冲(正向触发电压)。 晶闸管导通后，控制极便失去作用。 依靠正反馈，晶闸管仍可维持导通状态。 晶闸管关断的条件： 必须使可控硅阳极电流减小,直到正反馈效应不能维持。 将阳极电源断开或者在晶闸管的阳极和阴极间加反相电压。 主要参数： 正向重复峰值电压（晶闸管耐压值） 晶闸管控制极开路且正向阻断情况下,允许重复加在晶闸管两端的正向峰值电压。 反向重复峰值电压 控制极开路时,允许重复作用在晶闸管元 件上的反向峰值电压。 正向平均电流 环境温度为40?C及标准散热条件下，晶闸管处于全导通时可以连续通过的工频正弦半波电流的平均值。 维持电流 在规定的环境和控制极断路时，晶闸管维持导 通状态所必须的最小电流。一般为几十 ~ 一百多毫安。 通态平均电压（管压降） 在规定的条件下，通过正弦半波平均电流时，晶闸管阳、阴极间的电压平均值。 一般为1V左右。 控制极触发电压和电流 室温下，阳极电压为直流6V时，使晶闸管完全导通所必须的最小控制极直流电压、电流 。 一般触发电压为1到5V，电流为几十到几百毫安。 * * * 晶闸管承受过电压、过电流的能力很差，这是它的主要缺点。 晶闸管的热容量很小，一旦发生过电流时，温度急剧上升，可能将PN结烧坏，造成元件内部短路或开路。例如一只100A的晶闸管过电流为400A时，仅允许持续0.02秒，否则将因过热而损坏； 晶闸管耐受过电压的能力极差，电压超过其反向击穿电压时，即使时间极短，也容易损坏。若正向电压超过转折电压时，则晶闸管误导通，导通后的电流较大，使器件受损。 过流保护： 1、快速熔断器保护 电路中加快速熔断器。当电路发生过流故障时，它能在晶闸管过热损坏之前熔断，切断电流通路，以保证晶闸管的安全。 2、过流继电器保护 在输出端(直流侧)或输入端(交流侧)接入过电流继电器，当电路发生过流故障时，继电器动作，使电路自动切断。 3、过流截止保护 在交流侧设置电流检测电路，利用过电流信号控制触发电路。当电路发生过流故障时，检测电路控制触发脉冲迅速后移或停止产生触发脉冲，从而使晶闸管导通角减小或立即关断。 过压保护： 1、 阻容保护 利用电容吸收过压。其实质就是将造成过电压的能量变成电场能量储存到电容中，然后释放到电阻中消耗掉。 2、硒堆保护 硒堆是硒整流片串联组成的非线性元件，并且是将两组硒堆整流片对接起来使用。它可以单独使用，也可以和阻容元件并联使用。当有过电压时，承受反向电压的一组硒堆的电阻迅速减小，漏电流增大，过电压能量被非线性电阻硒堆吸收。过电压消失后，硒堆不损坏而恢复原状。 * 1、 阻容保护 利用电容吸收过压。其实质就是将造成过电压的能量变成电场能量储存到电容中，然后释放到电阻中消耗掉。 2、硒堆保护 硒堆是硒整流片串联组成的非线性元件，并且是将两组硒堆整流片对接起来使用。它可以单独使用，也可以和阻容元件并联使用。当有过电压时，承受反向电压的一组硒堆的电阻迅速减小，漏电流增大，过电压能量被非线性电阻硒堆吸收。过电压消失后，硒堆不损坏而恢复原状。 一、可控硅的特性　　可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有第一阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G三个引出脚。　　只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。此时A、K间呈低阻导通状态，阳极 A与阴极K间压降约1V。单向可控硅导通后，控制器G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K