清华大学微电子器件与电路课件——张进宇ch08-1.pptVIP

* 类似地，对于P型半导体材料，在小注入条件下，则 有： 类似地，对于P型半导体材料，在小注入条件下，则 有： * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 8.4 准费米能级 8.4 准费米能级 在热平衡条件下，电子和空穴的浓度是费米能级位置的函数，即： (8.69b) (8.69a) 其中EF和EFi分别是费米能级和本征费米能级，ni是本征载流子浓度。对于n型和p型半导体材料，其EF和EFi的位置分别如下页图8.13所示。 * 8.4 准费米能级 图8.13a n型半导体材料： EF EFi； n0 ni p0； 图8.13b p型半导体材料： EF EFi； n0 ni p0； * 8.4 准费米能级 当有过剩载流子存在时，半导体材料就不再处于热平衡状态，此时费米能级就失去意义，但是在这种情况下，我们可以分别为电子和空穴定义一个适用于非平衡条件下的准费米能级，即： 其中EFn和EFp就是电子和空穴的准费米能级，在非平衡条件下，电子的总浓度和空穴的总浓度分别是其准费米能级的函数。 (8.70b) (8.70a) * 8.4 准费米能级 Example 8.6 * 8.4 准费米能级 图8.14a 一块处于热平衡状态的n型半导体材料，其掺杂浓度为Nd =1015cm-3，其本征载流子浓度为ni = 1010cm-3。 * 8.4 准费米能级 图8.14b 处于非热平衡状态，所产生的过剩电子和过剩空穴的浓度为?n= ?p=1013cm-3。 而少子空穴的浓度由于发生了很大的变化，因此空穴的准费米能级同样也发生了很大的改变。 从图中可见，在小注入条件下，由于多子电子的浓度变化不大，因此电子的准费米能级只有很小改变。 * 8.5 过剩载流子的寿命 8.5 过剩载流子的寿命 过剩电子和过剩空穴的复合率对半导体器件的特 性有很大的影响，通常复合率反比于载流子的平均寿命。载流子的平均寿命一般取决于半导体材料中的缺陷及其在禁带中引入的能态。 8.5.1 肖克莱-里德-霍尔复合理论（SRH复合） 即复合中心理论：Et 存在于禁带中心附近。 4个基本过程（以受主型复合中心为例） * 8.5 过剩载流子的寿命 图8.15 以受主型复合中心为例的4个基本过程 过程1：电子的俘获，导带中的电子被中性空陷阱俘获 过程2：电子的发射，过程1的逆过程，占有陷阱能级的电子被发射回导带 * 8.5 过剩载流子的寿命 图8.15 以受主型复合中心为例的4个基本过程 过程3：空穴的俘获，价带中的空穴被包含电子陷阱俘获（或者陷阱中的电子被发射到价带） 过程4：空穴的发射，过程3的逆过程，中性陷阱将空穴发射到价带中 * 8.5 过剩载流子的寿命 基于SRH复合理论的电子与空穴的复合率可表示为： 上式中Cn、Cp 分别是正比于电子和空穴俘获率的常 数， Nt是复合中心的密度，n、p则与复合中心能级在禁带中的位置有关，当复合中心能级位于禁带中心位置时，则有： 对于热平衡情况，有： 可见： (8.71) * 8.5 过剩载流子的寿命 由此可见，SRH复合理论给出的是过剩电子和过剩空穴的复合率，因此也可以将其表示为： 其中?n为过剩载流子的浓度，? 为过剩载流子寿命 8.5.2 非本征掺杂与小注入条件的限制 考虑n型半导体材料，在小注入条件下，则有： 因此由SRH理论可得： (8.72) (8.73) * 8.5.2 非本征掺杂与小注入条件的限制 再根据下式： 可得： 类似地，对于p型半导体材料，在小注入条件下，则有： 按照类似的分析可得： (8.74) (8.75) (8.76) * 8.6 表面效应 8.6 表面效应 在实际的半导体器件中，半导体材料不可能是无穷大的，总有一定的边界，因此表面效应对半导体器件的特性具有非常重要的影响。 8.6.1 表面态 表面理想的周期性晶格发生中断，出现悬挂键，导致表面态。通常位于禁带中，呈现为分立的能级，可以起到复合中心的作用。 SRH理论表明，过剩少数载流子的寿命反比于复合中心的密度，由于表面复合中心的密度远远大于体内复合中心的密度，因此表面过剩少数载流子的寿命要远远低于体内过剩少数载流子的寿命。 * 8.6.1 表面态 图8.16 表面态示意图，通常表现为禁带中的分立能态 * 8.6.1 表面态 假设过剩载流子在整个半导体材料中均匀产生。对于n型半导体材料，其体内过剩载流子的复合率为： 其中 ?pB 为体内过剩少数载流子空穴的浓度，我们同样可以写出表面处过剩载流子