第15章 磁场中的磁介质2(2009).ppt

从物质结构看，任何物质分子中的每个电子，除绕原子核作轨道运动外，还有自旋运动，这些运动都要产生磁场。如果把分子当作一个整体，每一个分子中各个运动电子所产生的磁场的总和，相当于—个等效圆形电流所产生的磁场。这一等效圆形电流叫做分子电流。每种分子的分子电流的磁矩Pm具有确定的量值，叫做分子磁矩。 作业 15-3，15-4，15-5 作业 15-6 软磁材料 B H 应用：硅钢片 作变压器、电机、电磁 铁的铁芯 铁氧 体（非金属）作 高频线圈的磁芯 材料 特点：磁导率大 矫顽力小 容易磁化 也容易退磁 磁滞回线包围面积小 磁滞损 耗小 纯铁、硅钢、坡莫合金(Fe，Ni)铁氧体等 * 作永久磁铁的硬磁材料 钨钢，碳钢，铝镍钴合金 * 作存储元件的矩磁材料 Br=BS ，Hc不大，磁滞回线是矩形。用于记忆元件，当+脉冲产生HHC使磁芯呈+B态，则–脉冲产生H – HC使磁芯呈– B态。作计算机中的记忆元件 磁化时极性的反转构成了“0”与“1”二进制的两个态。 矫顽力(Hc)大（102A/m)，剩磁Br大，磁滞回线的面积大，损耗大。 用于磁电式电表中的永磁铁。耳机中的永久磁铁，永磁扬声器。 锰镁铁氧体，锂锰铁氧体 * 交换力：电子之间的交换作用使其在自旋 平行排列时能量较低，这是一种量子效应。 * 磁畴(magnetic domain)：原子间电子交换耦合作用 很强，促使其自旋磁矩平行排列形成磁畴－－自发的 磁化区域。 磁畴大小约为1017－1021 个原子/10-18米3 。 铁磁性主要来源于电子的自旋磁矩。 3.铁磁质磁化的机制 磁畴的变化可用 金相显微镜观测 纯铁 硅铁 钴 磁畴 Si-Fe单晶 (001)面的 磁畴结构 箭头表示 磁化方向 0.1mm 单晶磁畴结构 示意图 多晶磁畴结构 示意图 磁畴 方向接近的磁畴扩大 磁饱和 磁滞现象：去掉磁化场，介质内的杂质和内应力 阻碍磁畴恢复原状 磁致伸缩：磁化引起介质中晶格间距的变化，从 而发生长度和体积的改变 当铁磁体受剧烈震动或高温下剧烈热运动的影响，磁畴会瓦解，铁磁性消失，变为顺磁性。 临界温度—居里点 用磁畴解释铁磁质的性质 磁饱和：当全部磁畴都沿外磁场方向时，铁磁质的磁化就达到饱和状态。这也就是铁磁质磁性?r大的原因。 §6 磁路定理（磁屏蔽） 磁感应线 B （磁力线）是闭合曲线。 磁路中铁磁质的 很大，磁化束缚 电流比励磁电流大得多，磁场大大加 强，磁力线非常密集，磁力线几乎平 行于界面，漏到外面的磁通量很小很 小，?磁力线集中在铁磁材料中。 磁感应线B（磁力线）集中的通路叫磁路。 与电路的这些相似性以及磁通连续定理 和安培环路定律，可提供一个分析和计算 磁场的有力工具—磁路定理。 电工设计中常要计算磁路中各处的磁场。 在截面积为 S、长为 l，磁导率为 ?的铁环上绕以紧密 的线圈N匝，设线圈中通有电流 I，根据安培环路定律 ? 磁路定理 与欧姆定律对比 I在稳恒电路中无论导线粗细电流强度均相等 ?m在磁路中无论铁芯截面积大小磁感应通量均相等 电路与磁路相对比 磁动势（磁通势） 磁化力、安匝数 磁阻 * 对于串接的铁磁质应用安培环路定律 闭合磁路的磁动势等于各磁路上磁位降落之和。 磁动势 磁压降 *对于并接的铁磁质应用安培环路定律 总磁阻的倒数等于分 支磁路磁阻的倒数和 设长度l=0.5m，截面积S=4?10-4m2,环上气隙的宽度 ?=10-3m.环上一部分绕有N=200匝线圈，设通过线 圈的电流I=0.5A，铁芯?r=5000，求铁环气隙中的B? 看成串接的磁路，并因磁通连续且 ?l ，气隙的B与铁环中的相同。 由于空气的 ?r远小于铁芯 ?r ，所以即使一毫米的气隙 也会大大影响铁芯内磁场。本例题中，有气隙和没有 气隙相比，磁感应强度减弱到十分之一。 例题：铁环气隙中的磁感应强度。 * §15.1 物质对磁场的影响 §15.2 原子的磁矩 §15.3 磁介质的磁化 §15.4 H的环路定理 §15.5 铁磁介质 §15.6 简单磁路 ? 目 录（4课时） 在实际的磁场中，一般都存在各种不同的实物性物质，放在 磁场中的任何物质都要和磁场发生相互作用，所以人们把 放在磁场中的任何物质统称为磁介质。 放在静电场中的电介质要被电场极化，极化了的 电介质会产生附加电场，从而对原电场产生影响。 与此类似，放在磁场中的磁介质要被磁场磁化， 磁化了的磁介质也会产生附加磁场，从而对原磁场 产生影响。 §15.1 物质对磁场的影响 —相对磁导率 顺磁质 抗磁质