霍尔传感器原理、结构及机械工程中的应用.ppt

霍尔传感器原理、结构及机械工程中的应用 霍尔传感器是基于霍尔效应的一种传感器。1879年美国物理学家霍尔首先在金属材料中发现了霍尔效应, 但由于金属材料的霍尔效应太弱而没有得到应用。随着半导体技术的发展, 开始用半导体材料制成霍尔元件, 由于它的霍尔效应显著而得到应用和发展。霍尔传感器广泛用于电磁测量、压力、加速度、振动等方面的测量。  一、霍尔元件的结构及工作原理 半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中，磁场方向垂直于薄片，当有电流I流过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势EH，这种现象称为霍尔效应。 磁感应强度B 较大时的情况 作用在半导体薄片上的磁场强度B越强，霍尔电势也就越高。霍尔电势EH可用下式表示： EH=KH IB 霍尔效应演示 当磁场垂直于薄片时，电子受到洛仑兹力的作用，向内侧偏移，在半导体薄片c、d方向的端面之间建立起霍尔电势。 一、工作原理及结构1、工作原理 霍尔电场的出现, 使定向运动的电子除了受洛仑磁力作用外, 还受到霍尔电场的作用力，此力阻止电荷继续积累： 霍尔电势正比于激励电流及磁感应强度，与载流材料的物理性质和几何尺寸有关； 式中kH=1/ned称为霍尔片的灵敏度。表示在单位磁感应强度和单位控制电流时的霍尔电势的大小； ?霍尔元件的材料选择 kH与n、e、d成反比，若要霍尔效应强, 则kH值大。 灵敏度kH与霍尔片厚度d成反比。为了提高灵敏度, 霍尔元件常制成薄片形状。薄膜霍尔元件厚度只有1μm左右。 一般金属材料载流子迁移率很高；而绝缘材料载流子迁移率极低。故只有半导体材料适于制造霍尔片。目前常用的霍尔元件材料有：锗、硅、砷化铟、锑化铟等半导体材料。 2、霍尔元件基本结构 由霍尔片、引线和壳体组成, 如图所示。 霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片，引出四个引线。1、1′两根引线加激励电压或电流，称为激励电极；2、2′引线为霍尔输出引线，称为霍尔电极。 霍尔元件壳体由非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装而成。 在电路中霍尔元件可用两种符号表示。 3、基本电路 RW调节控制电流的大小。 RL为负载电阻，可以是放大器的内阻或指示器内阻。 霍尔效应建立的时间极短（10-12～10-14S），I即可以是直流，也可以是交流。 若被测物理量是I、B或者IB乘积的函数，通过测量霍尔电势UH就可知道被测量的大小。 二、元件特性及其补偿1、元件特性 （1）UH-I特性 （2）UH-B特性 当控制电流恒定时，霍尔元件的输出随B增加并不完全是线性关系，B＜0.5T时， UH-B才呈较好线性。其中Hz-4型元件线性度高。 当磁场为交变、电流是直流时，由于交变磁场在导体内产生涡流而输出附加霍尔电势，因此霍尔元件只能在几千Hz频率的交变磁场内工作。 （3）R-B特性 霍尔元件的内阻随磁场的绝对值增加而增加，这种现象称为磁阻效应。 利用磁阻效应制成的磁阻元件也可用来测量各种机械量。 但在霍尔式传感器中，霍尔元件的磁阻效应使霍尔输出降低，尤其在强磁场时，输出降低较多，需予以补偿。 2、性能补偿（1）温度补偿 霍尔元件是采用半导体材料制成的, 因此它们的许多参数都具有较大的温度系数。当温度变化时, 霍尔元件的载流子浓度、迁移率、电阻率及霍尔系数都将发生变化, 从而使霍尔元件产生温度误差。 1）采用恒温措施 2）UH=KHIB：采用恒流源供电, 可以使霍尔电势稳定（减小由于输入电阻R随温度t变化而引起的激励电流I变化所带来的影响。） 3）热敏电阻补偿 （2）不等位电势补偿 当霍尔元件B=0，I≠0，UH=U0≠0。 这时测得的空载霍尔电势称不等位电势。 产生这一现象的原因有:  ① 霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上； ② 半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或是几何尺寸不均匀； 不等位电势补偿的方法 理想情况下, R1=R2=R3=R4, U0＝0 由于不等位电阻的存在,说明此四个电阻值不相等, 则电桥不平衡。为使其达到平衡，可在阻值较大的桥臂上并联电阻，或在两个桥臂上同时并联电阻。 三、霍尔集成电路 霍尔集成电路的外形结构与霍尔元件完全不同，其引出线形式由电路功能决定，根据内部测量电路和霍尔元件工作条件的不同，分为线性和开关型两种。 2、开关型霍尔集成电路 开关型霍尔集成电路是将霍尔元件、稳压电路、放大器、施密特触发器、OC门（集电极开路输出门）等电路做在同一个芯片上。 当外加磁场强度超过规定的工作点时，OC门由高阻态变为导通状态，输出变为低电平；当外加磁场强度低于释放点时，OC门重新变为高阻态，输出高电平。较典型的开关型霍尔器件如UGN3020等。 四、霍尔传感器的应用