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(2) 上拉电阻对OD门动态性能的影响 2.三态(TSL)输出门电路 开启电压 VTN 0 DD OH O V V v = = V 0 OL O ? = V v TN I V v +VDD RD B G D S O v I v TN I V v RON约在1k以内，与VGS的大小有关. 栅极与衬底之间存在电容CI，其容量约为几法。 导通 截止 a)N 沟道增强型 MOS 管： 1、MOS管的开关 状态等效电路 S G D CI RON I v O v S G D CI I v O v 3.1.3 MOS开关及其等效电路 b. P 沟道增强型 MOS 管 -VDD RD B G D S vI vO 开启电压 VTP0 导通 S G D CI RON I v O v 截止 S G D CI I v O v 3.1.3 MOS开关及其等效电路 3.1.4 CMOS 反相器 1、工作原理 A L 1 +VDD +10V D1 S1 vi vO TN TP D2 S2 0V +10V vi vGSN vGSP TN TP vO 0 V 0V -10V 截止 导通 10 V 10 V 10V 0V 导通 截止 0 V VTN = 2 V VTP = - 2 V 逻辑图 逻辑表达式 电路逻辑功能分析: 1、列出电路状态表；（根据输入确定半导体器件开关状态及输出电平） 2、列出真值表； 3、确定逻辑 功能。 vi (A) 0 vO(L) 1 逻辑真值表 1 0 2. 电压传输特性和电流传输特性 iD +VDD + vI - vO TN TP A B VTN VDD VTH vO = VDD 、 iD ? 0， 功耗极小。 0 vO /V vI /V AB 段： vI VTN ， TN 截止、TP 导通， 电压传输特性 B 3.1.4 CMOS 反相器 2. 电压传输特性和电流传输特性 iD +VDD + vI - vO TN TP A B VTN VDD VTH 0 vO /V vI /V 电压传输特性 TN 导通（可变电阻区），vO 略下降。 BC 段： C 3.1.4 CMOS 反相器 CD 段： TN、TP 均工作在饱和区 2. 电压传输特性和电流传输特性 iD +VDD + vI - vO TN TP A B VTN VDD VTH 0 vO /V vI /V 电压传输特性 C D 3.1.4 CMOS 反相器 2. 电压传输特性和电流传输特性 iD +VDD + vI - vO TN TP A B VTN VDD 0 vO /V vI /V 电压传输特性 C D DE、EF 段： E F 3.1.4 CMOS 反相器 iD +VDD + vI - vO TN TP A B C D E F 0 iD / mA vI / V VTH A B C D E F VDD VTH 0 vO / V vI / V 电压传输特性 电流传输特性 AB、EF 段： TN、TP总有一个为截止状态，故 iD ? 0 。 CD 段： TN、Tp 均导通，流过两管的漏极电流达到最大值 iD = iD（max) 。 阈值电压： VTH = 0.5 VDD （VDD = 3 ~ 18 V） 电流传输特性 3.1.4 CMOS 反相器 3.1.4 CMOS 反相器 (1)CMOS反相器静态功耗近似等于0 A B C D E F 0 iD / mA vI / V VTH A B C D E F VDD VTH 0 vO / V vI / V 电压传输特性 电流传输特性 动态功耗随状态转换的次数增加 CMOS 反相器的特点 (2)CMOS反相器的工作速度较高 在由于电路具有互补对称的性质，它的开通时间与关闭时间是相等的。平均延迟时间：10 ns。 带电容负载 输出从低电平 跳变为高电平 输出从高电平 跳变为低电平 3.1.4 CMOS 反相器 3.1.3 其他CMOS门电路 A B TN1 TP1 TN2 TP2 L 0 0 0 1 1 0 1 1 截止 导通 截止 导通 导通 导通 导通 截止 截止 导通 截止 截止 截止 截止 导通 导通 1 1 1 0 与非门 1、CMOS 与非门 vA +VDD +10V T P1 T N1 T P2 T N2 A B L vB vL A B 0 0 1 0 0 1 1 1 Y = (a)电路结构 (b)工作原理 VTN = 2 V VTP = - 2 V 0V 10V N输入的与非门的电路? 输入端增加有什么问题? 或非门 3、CMOS 或非门 +VDD +10V