12 Silvaco TCAD器件仿真器件特性获取方式及结果分析.pptVIP

Page ? * 主要内容 第一部分 电极接触特性 第二部分 器件特性的获取方式 第三部分 结果分析 第四部分 总结 Page ? * 1 电极接触特性 第一部分 电极接触特性 第二部分 器件特性的获取方式 第三部分 结果分析 第四部分 总结 1.1 电极接触的定义 电极的接触状态由contact定义，参数有功函数参数，边界情形，寄生参数，电极连接参数，浮栅电容参数等 接触的类型有： 功函数和肖特基接触 设置电流边界 外接电阻、电容和电导 浮动接触 电极短接 电极开路 Page ? * 1.2 电极接触定义的例子 Page ? * contact name=gate workfunction=4.8 contact name=gate n.polysilicon contact name=anode workfunction=4.9 barrier alpha=1e-7 肖特基接触 由接触材料定义肖特基接触 定义肖特基接触势垒的高度 定义接触为电流边界 contact name=drain current 1.2 电解接触定义的例子（续） Page ? * 接触时外电阻和电容定义 contact name=source resistance=50.0 capacitance=20e-12 \ inductance=1e-6 contact name=source con.resistance=0.01 接触的分布电阻 contact name=base common=collector 电极间短接 contact name=gate1 common=gate2 factor=0.1 gate1的电压始终等于gate2电极的电压加上0.1V 开路接触的三种方法： 1、删掉电极；2、定义很大的外电阻；3、设置成电流边界，电流=0 Page ? * 2 器件特性的获取方式 第一部分 第二部分 电极接触特性 第三部分 结果分析 器件特性的获取方式 第四部分 总结 2.1 器件特性获取的思路 实际情况下器件的特性都要通过仪器进行测试得到 测试结果通常是端电流/电压特性，可改变电信号（直流、交流、瞬态以及特征波形）、环境温度、光照、压力或磁场等得到端电流/电压随这些量的变化 仿真也以这种思路 本课程不关注S参数、霍尔效应、光电特性、单粒子翻转、噪声特性的仿真 Page ? * 直流特性包括：IV特性、转移特性、Gummel Plot、输出特性、击穿特性 2.2 直流特性 Page ? * solve init solve vbase=0.1 solve vanode=0.05 vstep=0.05 vfinal=1 \ name=anode 所有电极零偏 求解基极电压0.1V 扫描阳极电压（0.05V～1V） 2.2 直流特性（续） Page ? * solve init solve vbase=0.05 vstep=0.05 vfinal=0.8 \ name=base contact name=base current # solve ibase=1.e-6 save outf=bjt_ib_1.str master … load inf=bjt_ib_1.str master log outf=bjt_ib_1.log solve vcollector=0.0 vstep=0.25\ vfinal=5.0 name=collector … 交流仿真可以得到器件的CV特性，交流增益和S参数 2.3 交流小信号特性 Page ? * solve vgate=-5 vstep=0.1 vfinal=5.0 \ name=gate ac freq=1e6 solve vbase=0.7 ac freq=1e9 fstep=1e9 nfstep=10 solve vbase=0.7 ac freq=1e6 fstep=2 mult.f nfstep=10 MOS的CV（频率不变，变直流偏置） 频率从1GHz增加到11GHz，以1GHz为步长 从1MHz开始，频率翻倍，10次后为210?1MHz=1.024GHz 2