第六讲： 磁敏传感器.pptVIP

第六讲 磁敏传感器 主要内容 霍尔元件 其它磁敏元件 磁敏二极管和三极管 磁敏电阻 霍尔元件 霍尔元件的基本工作原理——霍尔效应 霍尔元件 霍尔元件的测量误差及其补偿 霍尔元件的应用 霍尔集成传感器 引论 霍尔传感器是利用霍尔效应实现磁电转换的一种传感器，有普通型、高灵敏度型、低温度系数型、测温测磁型和开关式的霍尔元件。由于霍尔传感器具有灵敏度高、线性度好、稳定性高、体积小和耐高温等特件应用于非电量测量、自动控制、计算机装置和现代军事技术等各个领域。 引论 霍尔尔效应是1879年美国物理学家霍尔研究载流导体在磁场中导电的性质时发现的一种电磁效应。他在长方形导体薄片上通一电流，沿电流的垂直方向加磁场，发现在与电流和磁场两者垂直的两侧面产生了电势差。后来这个效应广泛应用于半导体研究. 冯.克利青:金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）发现的量子霍尔效应 苏克林 施特默 崔琦:分数量子霍分数量子霍耳效应的发现 霍尔元件的基本工作原理——霍尔效应 通电的导体或半导体，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势的现象。 霍尔效应 长为L、宽为b、厚为d的导体（或半导体）薄片，被置于磁感应强度为B的磁场中（平面与磁场垂直），在与磁场方向正交的两边通以控制电流 I，则在导体另外两边将产生一个大小与控制电流 I 和磁感应强度 B 乘积成正比的电势UH，且UH＝KHIB，其中KH为霍尔元件的灵敏度。这一现象称为霍尔效应，该电势称为霍尔电势，导体薄片就是霍尔元件。 霍尔效应 霍尔效应是导体中自由电荷受洛仑兹力作用而产生的。设霍尔元件为N型半导体，当它通以电流 I 时，半导体中的电子受到磁场中洛仑兹力fL的作用，其大小为 霍尔效应 霍尔效应——霍尔系数及灵敏度 霍尔元件的灵敏度不仅与元件材料的霍尔系数有关，还与霍尔元件的几何尺寸有关.一般要求霍尔元件灵敏度越大越好，霍尔元件灵敏度的公式可知，霍尔元件的厚度d与KH成反比.但不能认为越小越好。因为这样会导致元件的输入和输出电阻增大 由于金属的电子浓度很高，所以它的霍尔系数或灵敏度都很小，因此不适合作霍尔元件. 可以用乘积灵敏度或磁场灵敏度以及电流灵敏 度、电势灵敏度表示： 霍尔元件——构成 霍尔元件由霍尔片，四根引线和壳体组成。霍尔片是一块矩形半导体薄片 霍尔片：Ge InSb InAs 体型霍尔元件是将半导体单晶材料定向切片，经研磨抛光，然后用蒸发合金法或其它方法制作欧姆接触电极，最后焊上引线并封装. 薄膜霍尔元件则是在一片极薄的基片上用蒸发或外延的方法做成霍尔片，然后再制作欧姆接触电极，焊引线最后封装。相对来说，薄膜霍尔元件的厚度比体型霍尔元件小一、二个数量级，可以与放大电路一起集成在一块很小的晶片上，便于微型化. 霍尔元件 引线：在霍尔片长度方向两端面上焊有两根引线，称为控制电流端引线，通常用红色引线.其焊接处称为控制电流极.在薄片另外两侧端面的中间以点的形式对称地焊有两根霍尔输出引线，通常用绿色导线.其焊接处称为霍尔电极.要求欧姆接触，且电极宽度与基片长度之比要小于0.1 霍尔元件——符号命名 符号表示： 命名： 霍尔元件——主要参数 1．额定功耗P0 霍尔元件在环境温度T＝25℃时，允许通过霍尔元件的控制电流I 和工作电压V 的乘积即为额定功耗.一般可分为最小、典型、最大三档，单位为mw.当供给霍尔元件的电压确定后，根据额定功耗可以知道额定控制电流I .有些产品提供额定控制电流和电压，不给出额定功耗. 2．输入电阻Ri和输出电阻R0 Ri是指流过控制电流的电极（简称控制电极）间的电阻值，R0是指霍尔元件的霍尔电势输出电极（简称霍尔电极）间的电阻，单位为Ω.可以在无磁场即B＝0时，用欧姆表等测量. 3．不平衡电势U0 在额定控制电流 I 之下，不加磁场时，霍尔电极间的空载霍尔电势称为不平衡(不等)电势，单位为mV.不平衡电势和额定控制电流I 之比为不平衡电阻r0. 霍尔元件——主要参数 4．霍尔电势温度系数α 在一定的磁感应强度和控制电流下，温度变化1℃时，霍尔电势变化的百分率称为霍尔电势温度系数α，单位为1／℃. 5．内阻温度系数β 霍尔元件在无磁场及工作温度范围内，温度每变化1℃时，输入电阻只Ri与输出电阻R0变化的百分率称为内阻温度系数β，单位为1／℃.一般取不同温度时的平均值. 6．灵敏度KH 其定义向前述.有时某些产品给出无负载时灵敏度（在某一控制电流和一定强度磁场中、霍尔电极间开路时元件的灵敏度）. 霍尔元件连接方式和输出电路 1．基本测量电路 控制电流I由电源E供给，电位器W调节控制电流I的大小. 霍尔元