带隙基准电压源(Bandgap)设计范例.pdfVIP

NO.1 Bandgap 模块 一. 原理图 图1.1 Bandgap 模块线路图 二. 等效架构图 (a) (b) (c) 图1.2 Bandgap 模块等效原理图 三. 电路功能描述 正常工作时，Bandgap 模块为系统提供稳定、高精度的1.28v 的基准电压， 并为其它电路模块提供稳定的偏置电流。 四. 输出、输入信号线功能描述 Vin：整个模块的输入电压。 ENB、BIAS_EN 、BIAS2_EN ：使能电路输出的控制信号，控制着本电路工 作与否。ENB 为全局使能信号，低电平有效；BIAS_EN 为产生偏置电流 BIAS 的使能信号，高电平有效；BIAS2_EN 为产生偏置电流 BIAS2 的使能信号，高 电平有效。 BIAS ：与电源相对无关的电流偏置； BIAS2 ：与电源相对无关的电流偏置； VREF ：输出的1.28V 带隙基准电压。 五. 输出输入信号线时序图 VIN 、ENB、BIAS_EN 、BIAS2_EN 为输入信号，VREF 、BIAS 、BIAS2 为 输出信号。 图1.3 BANDGAP 模块输入输出时序关系图 六. 等效架构图原理分析 BANDGAP 模块是一个带隙基准结构。带隙基准的工作原理是根据硅材料的 带隙电压与电压和温度无关的特性，利用△VBE 的正温度系数与双极型晶体管 VBE 的负温度系数相互抵消，实现低温漂、高精度的基准电压。双极型晶体管提 供发射极偏压VBE ；由两个晶体管之间的△VBE 产生VT ，通过电阻网络将VT 放 大a 倍；最后将两个电压相加，即VREF=VBE+aVT ，适当选择放大倍数a ，使两 个电压的温度漂移相互抵消，从而可以得到在某一温度下为零温度系数的电压基 准。下面详细推导这个原理。 一般二极管上电流和电压的关系为： I I S (e qVBE / kT 1) （1.1） q .V / k .T 当V kT / q 时，I I e BE BE S I V V .ln( ) BE T I S （1.2 ） kT 其中VT 为热电压，k 是Boltzmann 常数，q 是电荷量。 q 图 1.2(b) 是参考电压产生的实际等效架构电路， R19 、R20 、R21 、Q11 和 Q12、Q19 构成带隙电压产生器的主题部分，由 Qx10 、Qx8 、 Q19 、 Qx7 、 Q10 以及Q18 组成了放大器及补偿电路，保证了参考电压输出的稳定。 由运算放大器的性质,得： I I I A V V V V V ln 1 V ln 2 V ln 1 E 19 R21 B