模拟电子技术各章知识点.pptVIP

* 1-10 章知识点 1.1 N型半导体和P型半导体 多子取决于掺杂，少子取决于本征激发(与环温有关） 1.2 PN结的特性 1.3 二极管的伏安特性、电路模型及应用电路分析 阴极 阳极 D 单相导电性 1.4 稳压二极管及应用电路分析 1.5 晶体三极管的伏安特性及工作状态 1）已知三极管三个电极对应电位确定其工作状态 UBE＜Uon →截止状态； UBE＞Uon， UCE ＞UBE→放大状态； UBE＞Uon， UCE ＜UBE→饱和状态。 NPN型三极管 2）已知放大状态三极管三个电极电位确定其型号、材料 NPN: Vc ＞ Vb ＞ Ve PNP: Vc ＜ Vb ＜ Ve (1)无论是NPN还是PNP型三极管，基极电位居中间电位，确定基极b (3) 第三管脚为c极 (4) U CE＞0,为NPN型， U CE＜0,为PNP型。 确定e极，同时判断是硅（锗）材料 (2) 3）已知三极管电极电流，确定 UCE=常量 1.6 场效应管的伏安特性及工作状态 2.1 放大电路分析的组成原则 （1）发射结正偏，集电结反偏，有适当的静态工作点 （2）输入信号能顺利传递 （3）失真度不超过允许范围 2.2 放大电路分析的任务 1. 静态分析：求静态时的 IB 、IC 、 UCE 动态、交流通路及画法 估算法 静态、直流通路及画法 2.求动态时的 2.3 晶体三极管的小信号等效电路 + - △uBE △iB △iC + - △uCE b e c e + - + - 2.4 基本放大电路 β（大） （1+β) (大） Rb Rc +Vcc ui T + _ + _ uo C1 RL + _ + _ C2 _ Rb Rs +Vcc ui T + _ + _ uo C1 RL + _ + C2 us + _ Re Rb2 Rc +Vcc ui T + － + - uo C1 + + C2 Rb1 Re RL + β（大） 3.1 多级放大电路的耦合方式及特点 （1）直接耦合、阻容耦合、变压器耦合、光电耦合 3.2 多级放大电路的动态分析 输入电阻 Ri=Ri1 输出电阻 Ro=Ron (第一级输入电阻) (最后一级输出电阻) —对于第一级到第(n-1)级，每一级的放大倍数均应该是 以后级输入电阻作为负载时的放大倍数。 1. 3. 2. 3.3 差动放大电路 1. 零点漂移、衡量零漂的方法及抑制零漂的措施 2. 差模信号、共模信号及与输入信号的关系 3. 零点漂移、衡量零漂的方法及抑制零漂的措施 4. 差模信号、共模信号及与输入信号的关系 5. 基本差放、恒流源差放静态及动态分析 Rb1 Rc1 T1 + uOd - Rb2 Rc2 +VCC T2 iE1 iE2 Re -VEE iB1 iB2 iC1 iC2 uI1 uI2 E uC1 uC2 RL uI1 Rb Rc T1 + uo - Rb Rc +VCC uI2 T2 iE1 iE2 I -VEE Rw 4.1 集成运算放大器的组成及各部分作用 4.2 电流源在电路中的作用 *