集成电路中的PNP管.pptVIP

2．4 集成电路中的PNP管 模拟集成电路中大量应用的是NPN管。工艺设计一般以制做NPN管为主。集成电路中往往还需要PNP管。PNP管都是在与NPN管制造工艺兼容的情况下制造出来的。这样制造的PNP管β很小、fT低。但与 NPN 管构成复和管就能弥补它的缺陷。由于使用了PNP管使电路的性能得到了很大改善。也促使了I2L电路得实现。 PNP管用于电平位移、推挽放大、改善电路性能。 PNP管主要有两大类：横向PNP管、衬低 PNP管 2．4．1 横向PNP管 形成过程 NPN管基区扩散的同时形成PNP管的发射区和集电区。 P N+隐埋层 N+隐埋层 N P+ 隔离岛 P N+ e b c e c b P P N+ NPN管发射区扩散的同时形成基区 横向PNP管的集电极、发射极都在基区中，基区很宽所以β很小。 2．4．1 横向PNP管 P N+隐埋层 N+隐埋层 N P+ 隔离岛 P N+ P P N+ 工艺兼容、尽量不增加工序。由于工艺兼容的限制，NPN管的C区作为PNP管的B区。E区、C区掺杂相同，基区很宽无法做的很窄、C区面积不大，所以β、α很小。 E C B S 2．4．1 横向PNP管 B S S C E 放大状态：E管导通。 饱和状态：E、C 都管导通。 截止状态：都不导通。 反向运用状态：C管导通。 C管 E管 寄生管存在势垒电容Cj、扩散电容。使工作管的频率特性变差。即：fT减小。 2．4．1 横向PNP管 一般情况下PNP管工在放大状态，集电极反偏，集电极到衬底间的寄生管截止。而发射极到衬底间的寄生管却一直处于导通状态。使得PNP管的增益下降。空穴的扩散系数是电子扩散系数的三分之一、寄生PNP管有势垒电容CJ和扩散电容CD使的PNP管的fT下降。 B S S C E 特征频率fT 为：频率增加，β下降，β=1时所对应的频率。 特征频率fT 是晶体管可以起电流放大作用的最高频率。 增加β值的方法：增加E区的侧面积。E区侧面注入的电流才对Ic、β有贡献。增加结深、E区采用长条形、C区尽量多的包围E区。增加隐埋层以减小寄生管的影响。 提高fT的措施：减小e结面积、在工艺兼容的前提下降低外延层的掺杂浓度。 特征频率fT 为：频率增加，β下降，β=1时所对应的频率。 共发射极截止频率fβ 为：频率增加，β下降， 时所对应的频率。 共基极截止频率fα为：频率增加，α下降， 时所对应的频率。 多集电极 横向PNP管 P N+隐埋层 N+隐埋层 P+ 隔离岛 N+ e b c e c b P P N+ P c P P P 在基区扩散的基础上制做上多个集电区就可以制成多集电极管。 B C1 C2 E 多发射极 横向PNP管 在基区扩散的基础上制做上多个发射区就可以制成多发射极管。 P N+隐埋层 N+隐埋层 P+ 隔离岛 N+ e b c e c b P P N+ P P P P e B C E2 E1 B 大电流增益β的复合PNP管 Ib1 IC Ie 2．4．2 衬底PNP管 衬底PNP管以衬底为集电极。NPN管的集电区C为PNP管的B区，NPN管的基区B所在的位置为PNP管的发射区E。由于公共衬底必须接直流最负电位，交流是接地的，所以它的应用范围很有限。只能用于集电极接最负电位的地方。由于PNP发生在纵向，又称为纵向PNP管。由于不存在寄生三极管，不需要作隐埋层,β和fT都比较大。发射区面积可以做的很大，工作电流比较大。基区宽β比NPN管小。Β约为30～50；fT约为10MHZ N+隐埋层 N+隐埋层 N P+ 隔离岛 P N+ e b c e c b P P 衬底PNP管