DRAMeXchange： 力晶扩大NAND Flash产能,201.PDFVIP

DRAMeXchange: 力晶扩大NAND Flash产能，2012年将是台湾DRAM厂转型年 2011-11-09 力晶在2012年起将会大幅降低标准型DRAM投片量，以最低的产能维持DRAM的技术发展，并于明年起全数转入30 nm 4Gb生产，而空出的产能将会以NAND FLASH填补，后续技术发展的重点也转移到NAND 2Xnm的制程微缩。 放远未来，力晶仍会保留DRAM技术，待3D- IC以及TSV的技术成熟时，将会以内存为中心做芯片组的整合，力图成为大中华地区各技术领域最完整之晶圆厂。 随着力晶正式宣布将产能逐步扩大至Flash产品上，加上原先代工如LCD Driver及非标准型DRAM产品，希望明年标 准型DRAM的投片仅占总投片量的20%，力晶将成为代工与Flash为主要业务的公司，也算是宣告退出标准型DRAM 市场，与国际大厂相比，台湾DRAM产业由于制程转进速度缓慢及过多比例放在标准型DRAM上，导致今年至今亏 损达台币586亿元，由于DRAM产业仍处于供过于求的状况，加上国际大厂在第四季积极转入30nm制程，集邦科技( TrendForce)预估明年上半年供过于求依然超过15%，故部份台系DRAM厂早已展开转型之路，除了前述力晶之外， 南科也将逐步转入利基型与服务器内存为主，华亚科在美光的服务器内存的订单下，也希望将服务器内存比重拉到