ch19 晶圆测试.pptVIP

半導體製造技術第 19 章晶圓測試 課程大綱 討論IC製作中所執行的電性測試。 解釋線上參數測試之目的及描述其如何執行。 描述線上參數測試所使用之設備。 闡述晶圓分類測試之目的及解釋其如何執行。 概述及討論不同形式的晶圓分類測試。 討論伴隨晶圓分類的測試問題。 闡述及解說影響晶圓分類良率的因素。 描述3種晶圓良率模型並討論良率管理。 IC產品所採用之各種不同的電性測試 (從設計階段到已封裝IC) 自動電性測試機 與測試有關之晶圓廠製作流程 晶圓測試 線上參數測試(又稱之為晶圓電性測試或WET) 晶圓分類(又稱之為電性分類) 線上參數測試的理由 確認製程問題 通過／未通過標準 數據收集 特別的測試 晶圓級可靠性 晶圓製作時，電性測試之時段 切割線中之監控用測試結構 測試用結構之實施例 用於第一層金屬接觸之測試用結構 線上參數測試的套裝範例 線上參數測試的套裝範例(續) 臨界電壓與驅動電流 數據趨勢 在晶圓上相同的晶粒位置一直未能通過某一參數測試。 在不同的晶圓裡，相同的參數均一致地不通過測試。 在晶圓到另一晶圓(from wafer to wafer) 間所測得數據有過大的變化量(如大於10%)。 相同的參數在批次間(lot-to-lot)的失效，顯示存在有重大製程問題。 晶圓級可靠性測試 藉供應一高電流密度而施加應力於金屬線以作電遷移(electronmigration)失效測試。 評估氧化物層能蓄存多少電荷以及其在被破壞前能維持多久。 決定氧化物到底能捕捉多少電荷。 評量一新濕式清潔法製程對氧化物成長的效果。 線上參數測試設備 探針卡介面 晶圓定位 測試器測試設備 作為主機或伺服器／網站的電腦 自動化參數測試器系統之系統方塊圖 自動測試器之探針卡 探針卡之 ? 角調整 探針針腳之超越與刮擦 墊上所形成探針標記之種類 測試器測試設備之方塊示意圖 晶圓分類的目的 晶片功能性：驗證所有晶片功能的運作，以確保僅有良好的晶片被交付後續的裝配與封裝IC製作階段。 晶片分類：根據晶片操作的速度性能篩選出良好的晶片 (此乃藉由在數種電壓的測試與改變時間測定條件而達成)。 晶圓廠良率的回應：提供重要的晶圓廠良率相關資料，以評估並改善整體製作製程的性能。 測試範圍：在最低成本條件下完成內部元件節點之高測試範圍。 被摒棄晶粒之晶圓圖 晶圓分類之二位碼數字 以Bin表示失敗之晶圓二位碼圖 晶圓分類的形式 DC測試(連續性、短／開路以及漏電流) 輸出檢查 功能測試 功能測試之實例 記憶體測試之0/1演算法 晶圓分類中影響晶片測試之相關性主題 總測試時間 故障模型 IDDQ測試 束縛帶 故障堅持處理模型之限制 在功能測試之束縛帶，其用以確認符合消費者所需規格 晶圓分類良率 較大的晶圓直徑 晶粒尺寸的增加 製程步驟的增加 縮小特徵尺寸 製程成熟度 晶體缺陷 大晶圓上所減少的不完全晶粒數 由於晶片複雜度所引起之製程步驟數的成長 DRAM產品之產品成熟度與減少時間的關係 晶圓分類之良率模型 Poisson’s模型 Murphy’s模型 Seed’s模型 晶圓廠中之良率管理 Vout VDD D C B A Gnd 短路 正常功能函數 A+B或C+D 短路時，不正常之功 能函數B+C或A+D* *短路會引起功能改變，但不是使任何電路節點堅持在某點 圖 19.16 圖 19.17 功能測試可接受度 晶圓分類 消費者規格可接受度 漏電流 (pA) 0 2 4 6 8 束縛帶 測試種類 規格外 (失效) 200 mm 300 mm 14.5%不完全晶粒 10.8%不完全晶粒 圖 19.18 Redrawn from C. Gross et al., “Assessing Future Technology Requirements for Rapid Isolation and Sourcing of Faults,” Micromagazine (online version) http://www.M/archive/98/07/ jensen.html (July 1998), p. 6. 圖 19.19 800 600 400 200 0 1500 1000 500 0 250 180 150 130 100 70 50 製程步驟數 電晶體數 技術點 (nm) 製程步驟數 電晶體數 (?106) -1 0 1 2 3 4 5 6 7 年 100 80 60 40 20 0 RD 先驅線 正式量產 16 Mb