algangan hemt高场退化的机理研究word格式论文.docxVIP

优秀毕业论文 万方数据 精品参考文献资料 摘要 GaN 作为一种新兴材料，在诸多的方面具有极大的应用价值，主要特点表现 在宽禁带、高跨导、高饱和电流、高击穿电压等诸多的方面；在应用中，高温和 微波大功率方向的应用显示出了极强的潜力和优势；而存在的主要问题则表现在 可靠性方面，因此对 AlGaN/GaN HENT 器件的可靠性问题研究显得至关重要。 本文就 AlGaN/GaN HEMT 器件的高场退化机理进行了研究。主要的研究工作 和成果如下： 文中给出了一种具有独立知识产权的 AlGaN/GaN HEMT 的工艺流程，以 SiC 作为衬底制造出了具有良好特性的 AlGaN/GaN HEMT；之后对本文所介绍的 AlGaN/GaN HEMT 器件的高场退化效应作了进一步的研究，使两种典型器件在的 高场应力下退化，从而得到了器件关键参数随应力时间的退化规律。应力过程中， 阈值电压先是向正向漂移，再向负漂移，并且在向负方向漂移的过程中存在一段 比较长的恢复时间。因此我们提出了一个新的模型，在提出的模型之中一个与电 子被俘获和释放相关来解释这一现象。 我们还提出了一种新方法（瞬态电流测量分析法）来研究 GaN HEMT 中电子 的俘获特性。其独特性在于该方法能够与长期电可靠性实验相融合。文中对于这 种测量方法和分析过程进行了详尽的说明。通过使用该方法，我们研究了 GaN HEMT 器件中电子被俘获和释放的动态过程，根据实验设计确定了陷阱的位置位 于 AlGaN 势垒层中、靠近栅极的表面处、以及 GaN 缓冲层中，并且计算出相应的 缺陷能级。 关键词：AlGaN/GaN HEMT 高场应力 退化机制 失效分析 （电子被）俘获/释放  ABSTRACT 万方数据 万方数据 ABSTRACT AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) are of much value for microwave power and high-voltage applications because of the high break-down ?eld, thermal conductance and also saturation velocity in group-III nitride alloy semiconductors. However, the reliability problem is one of the issues that remain to be solved in order to move toward commercially available devices. In this thesis, the investigation about the failure mechanism of AlGaN/GaNHEMT under strong-electrical stresses is performed, starting from the potential factors of constraining device reliability. The main research results are summarized as follows. A complete set of AlGaN/GaN HEMT process flow is given and AlGaN/GaN HEMTs with good performance are produced on SiC substrate. Then the high-field stress degradation behaviors of GaN-based device are analyzed. Device degradation effects under two typical stress conditions are studied in particular, and then, the degradation rule of the device parameters with stress time is obtained. The threshold voltage shows a positive shift in the early stress, then turns to negative shift. The negative shift of threshold voltage seems to have a long recovery time. A model related with the balance of electron trap