az91d镁合金表面磁控溅射al tialn altialn膜及其组织与性能研究word格式论文.docxVIP

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az91d镁合金表面磁控溅射al tialn altialn膜及其组织与性能研究word格式论文

摘要镁合金是目前实际应用中最轻的金属结构材料,具有密度小,比强度、比刚度高, 另外还具有优良的减震性以及电磁屏蔽能力,因此被广泛应用于汽车工业、航空航天 以及电子产品等诸多领域。但由于镁合金耐腐蚀性较差,其应用受到了阻碍。目前主 要应用于镁合金防腐蚀的表面处理方法有:化学转化、阳极氧化、化学镀、气相沉积 等。磁控溅射技术具有沉积速率较其他气相沉积方法高、工艺简单、薄膜质量好、对 环境友好等优点,成为薄膜工业化应用的重要方法之一。本文采用磁控溅射镀膜方法,在 AZ91D 镁合金表面按照预定实验方案分别制备 了 Al、Ti-Al-N 单层膜,并且在制备 Al、Ti-Al-N 单层膜实验的基础上,选择较优参 数制备 Al/Ti-Al-N 双层膜。本论文主要研究了基材温度、负偏压以及 N2/Ar 分压比等 磁控溅射实验参数对膜层组织和性能的影响。研究结果表明:制备 Al 单层膜时,基材温度和负偏压对 Al 膜组织和性能有很大 影响,基材温度为 150℃时,晶粒细小且大小均匀,膜层致密度最好,膜层自腐蚀电 流最小,自腐蚀电位较高,负偏压为-60V 时,膜层致密度高,且自腐蚀电流最小; 制备 Ti-Al-N 单层膜时,N2/Ar 分压比和负偏压对 Ti-Al-N 膜层组织和性能有很大影响, N2/Ar 分压比为 1.5:10 时,膜层显微硬度、憎水性较高,并具有较高的电化学阻抗, 拥有较好的腐蚀防护性能,负偏压为-20V 时,膜层具有较高的显微硬度、最高的憎 水性以及最大的电化学阻抗,拥有最好的腐蚀防护性能。最后利用制备 Al、Ti-Al-N 单层膜的最优参数,即在 AZ91D 镁合金基材温度为 150℃,负偏压为-60V 磁控溅射工艺参数下制备 Al 膜作为过渡层,过渡层制备完毕 后保持 Ar 气流量 10sccm 不变,通入 N2 气流量为 1.5sccm,AZ91D 镁合金基材温度 仍保持为 150℃,负偏压为-20V 在 Al 膜基础上沉积 Ti-Al-N 膜,制备得到 Al/Ti-Al-N 双层膜。比较了 Ti-Al-N 单层膜和 Al/Ti-Al-N 双层膜的组织与性能差异,对比分析了 两种膜层的亲水性和电化学性能的不同,得出双层膜具有更好的腐蚀防护性能。关键词物理气相沉积;磁控溅射;镁合金;腐蚀防护AbstractMagnesium alloy is the lightest metal structure material which is practical used, with excellent properties, such as low density, high specific strength and stiffness, good shock absorption ability, electromagnetic shielding ability, etc.. So, the magnesium alloy is widely used in the automotive industry, aerospace industry, microelectronics and many other fields. However, its poor corrosion resistance have hindered the wider use of magnesium alloy. At present, the surface treatment used for magnesium alloy are: chemical conversion, anodicoxidation treatment, chemical plating, vapor deposition and so on. Magnetron sputtering is one of the important methods for industrial application owing to its high deposition rate compared with other vapor deposition methods, simple process, good film quality and environmentally friendly.In this thesis, the author deposited Al、Ti-Al-N monolayer films respectively onAZ91D magnesium alloy by magnetron sputtering. On the basis of Al、Ti-Al-N monolayer films preparation experi

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