NaI(Tl)单晶γ能谱测量.docxVIP

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  • 2018-05-20 发布于湖北
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NaI(Tl)单晶γ能谱测量

五.实验数据处理与分析 第一次实验:掌握并熟悉NaI(Tl)γ谱仪,确定谱仪的工作参数。 预热几分钟,熟悉多通道脉冲幅度分析器数据采集软件的使用。 由于实验没有配备示波器,因此无法利用示波器观察闪烁体探头输出信号。 3.本实验利用放射源137Cs通过改变高压、放大倍数、道数等参数观察能谱曲线的变化。 把放射源放在托盘上,调节改变电压分别为500V,550V,600V,630V,保持测量道数1024道和放大倍数5.00m不变,数据采集时间设100s,所得能谱曲线如图1所示。 图1.不同高压下对应的能谱曲线 结论:由图1可以看出,随着电压的升高,全能峰右移,道址增大,即峰位E变大,输出脉冲幅度增加。全能峰变宽,且其高度降低。 b)调节改变放大倍数分别为4.80,5.20,5.40,5.60,保持测量道数1024道和电压550V不变,数据采集时间设为100s,所得能谱曲线如图2所示。 图2.不同放大倍数下对应的能谱曲线 结论:由图2可以看出,随着电压的升高,全能峰右移,道址增大,即峰位E变大,输出脉冲幅度增加。全能峰变宽,且其高度降低。 调节改变通道数分别为256,512,1024,2048,4096保持放大倍数5.00和电压550V不变,数据采集时间设为100s,所得能谱曲线如图3所示。 图3.不同放大倍数下对应的能谱曲线 结论:由图2可以看出,随着电压的升高,全能峰右移,道址增大

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