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ITO_CuPc_Alq_3_Al有机发光二极管的制备与特性测试
第 14卷 第 4 期 哈 尔 滨 理 工 大 学 学 报 Vo l14 No4
2009年 8月 JOURNAL OF HARB IN UN IV ER SITY OF SC IENCE AND TECHNOLO GY A ug. 2009
ITO / CuPc /A l q 3 /A l有机发光二极管的制备与特性测试
张 静 , 王东兴 , 施长丹 , 张 健
(哈尔滨理工大学 应用科学学院 ,黑龙江 哈尔滨 150080)
摘 要 :利用真空直流溅射和真空蒸镀的方法 ,制备了结构为 ITO / CuPc /A lq /A l结构的绿光双
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层有机发光二极管 OLED ,对器件的电学特性和电致发光特性进行了测试. 结果表明,器件呈现良好
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的光电性能 ,发光强度达到 6. 0 ×10 cp s,发光光谱在波长 510nm 时光谱相对强度为 2641 I/ a. u.
关键词 :有机发光二极管 ; 光电特性 ; 喹啉铝 ; 酞氰铜
中图分类号 : TN 32 15 文献标志码 : A 文章编号 : 1007- 2683 (2009) 04 - 0079- 03
Fab rica tion and Cha ra ct e ristic s Te st o f ITO /CuP c /A lq 3 /A l
O rgan ic L igh t e m itting D io de s
ZHAN G J ing, WAN G D ong x ing, SH I Chang dan, ZHAN G J ian
( School of App lied Sciences, H arb in Un iversity of Science and Technology, H arb in 150080 , Ch ina)
A b stract: The OL ED sw ith the structu re of ITO / CuPc /A Iq /A l were p rep ared by DC m agnetron spu ttering and
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depo sition. By m ea su ring and analyzing the cu rren tvo ltageb righ tne ss characteristic s. The exp erim en tal re su lts
show that it ha s well op toelectron ic characteristic. The lum inou s in ten sity of the device reache s 600000 cp s, the
green em ission sp ectrum p ea
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