电子技术72176177.ppt

* * 0.1 电子技术概述 0.2 电子器件的 基本材料-半导体 0.3 PN结 0.1 电子技术概述 电子信号 电子电路 电子系统 应用与发展 退出 1.3 晶体管 主要要求： 熟悉半导体三极管的结构、类型与参数 掌握三极管的放大作用 了解复合三极管的概念与意义 退出 1.三极管的结构 1 晶体管的结构和类型 N N P 发射极 E 基极 B 集电极 C 发射结 集电结 — 基区 NPN 型 E C B 三区 三极 两结 集电区 基区 发射区 集电极 Collector 基极Base 发射极Emitter 集电结 发射结 — 集电区 — 发射区 P P N PNP型 退出 三极管的分类 按材料分 按频率特性分 按功率分 硅管 锗管 高频管 低频管 大功率管 中功率管 小功率管 按结构分 NPN管 PNP管 退出 下面以NPN管为例通过三极管的电流分配与放大作用，所得结论实验数据证明结论如下：结论一样适用于PNP三极管。 2 晶体管的基本工作原理 注意：三极管放大的条件 内部 条件 发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低 集电结面积大 外部 条件 发射结正偏 集电结反偏 退出 （1）IE=IC+IB （2）IC=βIB （3）IE=IC+IB =（1+ β ）IB≈ IC 三极管中还有一些少子电流，比如ICBO ，通常可以忽略不计，但它们对温度十分敏感。 退出 下图是测试三极管共发射极电路伏安特性曲线的电路图： 3 晶体管的特性曲线 退出 1. 输入特性曲线 uCE≧1V，集电结反偏，电场足以将发射区扩散到基区的载流子吸收到集电区形成IC， uCE 再增大曲线也几乎不变 死区电压与导通电压UBE 硅管分别约为0.5V和0.7V 锗管分别约为0.1V和0.3V （1）截止区——iB=0曲线以下的区域： iC= ICEO ≈ 0，两结均反偏，三极管各电极电流均约等于0，所以可以等效为断开的开关； 退出 2. 输出特性曲线 放 大 区 截止区 ICEO 饱 和 区 （2）放大区——在iB=0的特性曲线上方，近似平行于横轴的曲线族部分： iC基本不随uCE变化仅受iB控制，iC=βiB，发射结正偏、集电结反偏，相当于受控电流源。 uCE /V iC / mA 100 μA 80 μA 60 μA 40 μA 20 μA IB = 0 O 2 4 6 8 10 25 20 15 10 5 （3）饱和区——输出特性曲线近似直线上升部分： 三极管饱和时管压降uCE很小，叫做饱和压降uCES，两结均正偏，相当于闭合开关。 退出 4 晶体管的主要参数 1.电流放大系数 交流电流放大系数 直流电流放大系数 交流、直流电流放大系数的意义不同，但在输出特性线性良好的情况下，两个数值的差别很小，一般不作严格区分。 常用小功率三极管的β约为20~150左右。 退出 2.极间反向电流 集、基间反向饱和电流 集、射间反向饱和电流 （穿透电流） 测试电路 测试电路 反向电流受温度 影响大 越小越好 退出 3.极限参数 集电极最大允许电流 反向击穿电压 集电极最大允许耗散功率 集电极电流超过一定数值时β要下降 击穿时三极管电流急剧增大，会使三极管损坏 功耗过高会烧毁三极管 5 应用——放大、开关 退出 本章小结 半导体是制造电子元器件的基本材料，半导体材料具有光敏、热敏、杂敏等特殊的特性； PN结是P区和N区交界处形成的特殊带电薄层，具有单向导电作用，将PN结加上封装就是二极管的基本结构； 半导体晶体管是电流控制器件，可以用基极电流来控制集电极电流；场效应管是电压控制器件，可以用栅源电压来控制漏极电流，它们都有较大的电压放大作用。 * *