第4代IGBT芯片技术.pptVIP

12.0 0.0 12.0 8.9 7.18 7.18 9.20 9.20 8.60 8.60 6.40 6.20 6.40 6.80 6.80 6.20 5.00 5.00 Page * * Copyright ? Infineon Technologies 2006. All rights reserved. 12.0 0.0 12.0 8.9 7.18 7.18 9.20 9.20 8.60 8.60 6.40 5.00 5.00 6.40 6.80 6.80 6.20 6.20 英飞凌第4代IGBT芯片技术-IGBT4 IGBT4：基于IGBT3技术的性能优化 IGBT3 IGBT4 沟槽栅 场终止层 减小芯片厚度，降低饱和电压 降低饱和电压，维持开关速度 共同的优点： 饱和电压正温度系数 短路承受时间10μs 饱和电压低 IGBT4：基于IGBT3技术的性能优化 分别针对小、中、大功率应用而优化设计的三个IGBT4版本 小功率版IGBT4–T4 为小、中功率应用优化设计 在T3的基础上 - 提升开关速度 - 使关断波形更平滑一些 电压等级：1200V 适用开关频率：≤ 20kHz 用于小、中功率模块 配用小功率EmCon4二极管 大功率IGBT4–P4 为大功率应用优化设计 在E3的基础上 - 使关断过程“柔软” - 降低关断速度 电压等级：1200V，1700V 适用开关频率：≤ 3kHz 用于大功率模块 配用大功率EmCon4二极管 中功率IGBT4–E4 为中、大功率应用优化设计 在E3的基础上 - 提升开关速度 - 使关断波形更平滑一些 电压等级：1200V，1700V 适用开关频率：≤ 8kHz 用于中、大功率模块 配用中功率EmCon4二极管 IGBT4（1200V）：特征参数的调整 开关能耗 IGBT2–KS4 IGBT2–DN2 IGBT2–DLC IGBT3–E3 IGBT3–T3 -20% Eoff E4 P4 T4-小功率版IGBT4：开关能耗低于T3 （提高了开关速度） E4-中功率版IGBT4：开关能耗低于E3 （提高了开关速度） P4-大功率版IGBT4：开关能耗高于E3 （降低了关断速度，使关断“柔软”） -15% Eoff T4 饱和电压 IGBT4（1200V）：小功率版T4 关断过程对比：T4的波形比T3的平滑一些 / us 测试条件：Ls=200nH（极大），Ic=150A（Ic,nom=300A），Vdc=400V/450V/500V，Tj=25?C IGBT4（1200V）：中功率版E4 关断过程对比：E4的波形比E3平滑一些 测试条件：Ic=Ic,nom=450A，Vdc=800V/900V（仅供测试），Tj=25?C E3 E4 E4 800V 900V IGBT4（1200V）：大功率版P4 1200A 800V 1176V 300V 1200A E3 P4 EmConFAST EmCon4 IGBT关断 二极管关断 关断过程对比：P4（及EmCon4）呈现明显的“柔软”性 I=1/10 Inom Tj=Tvjmax IGBT4的软特性和软开关的区别 软特性： 与IGBT3相比，IGBT4的关断特性更软，关断震荡更小。这是由于工艺的改良，特别的焊线的改良，内部杂散电感减小，减小了开通和关断的电压电流震荡。在此基础上，针对功率不同，做了更好 的处理。 1 小功率场合，关断速度更快，关断的尖峰电压会更高，但是关断的震荡减小平滑，关断损耗减小。 2 在中大功率场合，根据关断电流非常大的特点，关断更柔软，关断尖峰电压降低。 软开关： 在焊接电源等很多运用场合，会提到软开关的概念。注意，软开关和IGBT的软特性是不同的两个概念。 软特性是专指IGBT本身特性的。 软开关是指运用外部控制策略或者电路特性，使IGBT零电压零电流开通或者关断，减小IGBT的开关损耗，开关过程与管子本身的特性关系不大，但是导通损耗还是建立在IGBT本身特性基础上。 IGBT4模块：Tvjop,max = 150?C！ 概念：在开关工作条件下，IGBT4模块的最高允许结温规格为 150?C，比IGBT3/IGBT2模块（1200V和1700V）的规格提高25?C！ 出发点：适应芯片小型化（Rthjc?，?Tjc[=PLoss?Rthjc]?） 实现：IGBT4模块内部焊线工艺的改进 可靠性因素：焊线工艺决定了模块的可靠性指标之一-功率循环（PC）次数。PC次数与结温有关，在相同的结温摆幅下，结温越高，PC次数越低。要提高结温规格，必须改进焊线工艺，才能保证模块用于更高的结温