ZnO基半导体材料和器件研究现状与发展趋势_推荐.pdfVIP

ZnO基半导体材料和器件研究 现状与发展趋势 王占国 （中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室） 提纲 1、引言 2、ZnO 的生长制备技术 3、ZnO 的电学和光学性质 4、ZnO 中的杂质和缺陷态 5、ZnO 基材料的能带工程和器件 6、ZnO 基材料重点研究方向建议 一、引言： ZnO热力学稳定相为钎锌矿结构，宽带隙，缺乏中 心对称性，具有强的压电特性，对可见光透明等。闪 锌矿结构（右图）仅生长在立方衬底上。岩盐矿结构 （NaCl）则在高压下形成。 + + P - - Ozgur et al. J. Appl. Phys. 98, 041301 2005 •ZnO（3.437eV，0 K）与其它宽带隙半导体 材料相比，具有高的激子束缚能（60meV）， 室温以上高效发光，极好的抗辐照性能，低 的外延生长温度和大尺寸单晶衬底以及价廉 等独特的优点。 •有望用于UV发光二极管与低阈值激光器、 UV探测器、汽车尾气纯化、非可视通信和生 物传感器以及抗辐照太空探测器等。新型ZnO 基光电器件的研制，受到国内外广泛的关 注。 二、ZnO的生长制备技术 2.1 ZnO体单晶制备技术 国外ZnO体单晶生长技术现状 生长方法 最大 生长速度 晶体完 导电 浓度（RT） 国家（厂家） 尺寸 整性 类型 水热法 3英寸 0.2-0.4mm/天 好 N 8×1013cm-3 日本TOKYO DENPA公司 40mm 0.2mm/天 好 N 1013cm-3 俄罗斯 高压熔体法 2英寸 8-10mm/小时 较好 N 5×1017cm-3 美国CERMET公 司 气相输 2英寸 1.5mm/天 好 N 6×1016 cm-3 美国EAGLE 运法 PITCH公司 气相输 10mm 0.5-1mm/天 好 N 3×1019 cm-3 日本、法国 运法(闭管) 国内ZnO体单晶生长技术现状 生长方法 最大晶 生长速度 位错密度 导电 浓度（RT） 研究院所 -2 体尺寸 （cm ） 类型 水热法 31.5mm 0.2-0.4mm/天 ？ N ？ 桂林矿产地质 研究院 8mm 0.2-0.4mm/天 102 N ？ 中科院福建物 高质量低成本 构所 气相输运 45mm 0.6-1mm/天 103 N （3-20）