晶体管原理（2-5）.ppt

* * 势垒电容 CT 2.5 PN 结的势垒电容 PN 结电容 扩散电容 CD 本节主要内容：势垒电容形成的机理； 导出突变结、线性缓变结和实际扩散结的势垒电容的计算方法。 2.5.1 势垒电容的定义 当外加电压有 ( - ?V ) 的变化时，势垒区宽度发生变化 ，使势垒区中的空间电荷也发生相应的 ?Q 的变化 ，如下图。 P区 N区 PN 结势垒微分电容 CT 的定义为 简称为 势垒电容。 （2-126） (-?Q )与(+?Q )虽然是由空间分布的电荷所构成，但由于 ?xp 与 ?xn 远小于势垒区总宽度 xd ，所以可将这些电荷看作是集中在势垒区边缘无限薄层中的面电荷。于是，PN 结就像一个普通的平行板电容器一样。所以势垒电容 CT 可以简单地表为 有时也将单位面积的势垒电容称为势垒电容。即： （2-127） 2.5.2 突变结的势垒电容 于是可得： 式中， （2-130） 根据势垒电容的定义， 势垒区总宽度 xd 可以表为 将上式代入平行板电容器公式的式（2-127） ，可以得到与式（2-130）相同的结果，即 对于 P+N 单边突变结， 对于 PN+ 单边突变结， 可见：CT 也是取决于低掺杂一侧的杂质浓度。 当外加较大反向电压时，可将 Vbi 略去，这时 2.5.3 线性缓变结的势垒电容 当外加较大反向电压时， 实际扩散结势垒电容 CT 的计算 方法二：将实际扩散结近似看作单边突变结或线性缓变结，然后用相应的公式进行计算。 方法一：直接查曲线（附录中的附图 1）。 2.5.4 实际扩散结的势垒电容 反之，则可近似看作线性缓变结，在计算 CT 时需要已知在结深 xj 处的杂质浓度梯度 a( xj ) 。这时应先通过求解方程 或查图 2-46 求得 xj ， 也可直接查图 2-48 得到 a( xj ) 。 当结两侧掺杂浓度相差很大，N0 很小，a 很大，xj 很小，xd 很大（反向电压很大）时，可近似看作单边突变结，在计算 CT 时需要已知低掺杂一侧的杂质浓度，即衬底浓度 N0 。 再由下式求出 a(xj) ： 图 2-48 例 2.2 由附图 1 (c) ： 按突变结计算： 按线性缓变结计算： 例 2.3 由附图 1 (a) ： 按突变结计算： 按线性缓变结计算：