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* SE NANJING wujin 第一章 电路元器件 SE NANJING wujin PN Junction 电流性质 -- 扩散电流 PN结在电路里有何具体应用? SE NANJING wujin BJT 结构: 两个背靠背PN, 发射结正偏, 集电结反偏; 电流性质: 发射结偏置决定扩散电流Ie; 集电结偏置决定Ic对Ie的收集比例; 1. Vbe正偏,有Ie注入; 2. Vcb正偏或零偏, 收集系数随偏压线性变化, 线性变化的收集系数导致线性变化的Ic电流; 3. Vcb反偏,收集系数逐渐趋向饱和,最大1 饱和的最大收集系数导致Ic电流饱和 SE NANJING wujin MOSFET 漂移电流: 线性律(?定律), 饱和机制: 非线性, 两维电场 宏观特征: 电流大. (大电流易在SI区) Strong Inversion SE NANJING wujin Sub Threshold Weak Inversion Similar to BJT, 扩散电流 宏观特征: 电流小, 或小电流易工作在 WI区 SE NANJING wujin 如何控制MOS工作区? VGS~VTH的关系 VDS~VGS-VTH的关系 考察关键参数变量之