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半导体三极管图片 §4.3 双极型三极管 §4.4 场效应晶体管 FET ( Field Effect Transistor) 一.绝缘栅场效应三极管的工作原理 (一)、N沟道增强型MOSFET 2、工作原理 （2)．漏源电压uDS对漏极电流iD的控制作用 （四）、N沟道耗尽型MOSFET 二、结型场效应管 三、场效应管特点 几种常用的场效应三极管的主要参数见表。 G S D N沟道增强型MOS管的输出特性 iD= f (uDS)?uGS 1、输出特性 gm:跨导 gm=?iD/?uGS? VDS=const 分界线方程 UGS=5V 4.5V 3.5V 3V 4V 2.5V iD [mA] 0 uDS 可变电阻区 恒流区 截止区 (二)、 N沟道增强型MOS管的特性曲线 0 iD [ma] uGS [V] VT i[ma]D uDS [V] 0 UGS 0 UDS G S D uGS对漏极电流的控制特性 ——转移特性曲线 iD=f (uGS)?uDS 2、转移特性 1.直流参数 (1).开启电压UT (2).直流输入电阻 2.交流参数 U(BR)DS 5 10 15 20 2 4 6 8 10 iD (mA) uDS (V) 0 3 4 5 6 uGS =7V 3.极限参数 (1).漏极最大允许电流IDM (2).漏极最大耗散功率PDM (3)栅源极间击穿电压U(BR)GS. (4).漏源极间击穿电压U(BR)DS （三）. N沟道增强型MOS管的主要参数 (2)、极间电容：Cgs、Cgd (1)、跨导 gm=?iD/?uGS? VDS=const N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的结构示意图和符号 输出特性曲线 -1 iD [mA] u DS [V] 0 UGS=0v 1 -2 2 3 1 0 VP 2 2 4 6 10 8 12 IDSS 3 转移特性曲线 N沟道耗尽型MOSFET (1)结型场效应三极管的结构 JFET的结构与MOSFET相似，工作机理则相同。 JFET的结构如图所示， 它是在N型半导体硅片的两 侧各制造个PN结，形成两 个PN结夹着一个N型沟道的 结构。 一个P区即为栅极， N型硅的一端是漏极， 另一端是源极。 N 基底 ：N型半导体 P P 两边是P区 G(栅极) S源极 D漏极 导电沟道 N P P G(栅极) S源极 D漏极 N沟道结型场效应管 D G S D G S P N N G(栅极) S源极 D漏极 P沟道结型场效应管 D G S D G S P P N沟道 D S G uGS - + vGG 2、uGS反向升高时，空间电荷区加宽， 沟道变窄。 P P N沟道 D S G uGS - + vGG 3、UGS=UP 时：空间电荷区将沟道夹断。 P D S G uGS - + vGG P N沟道 1、栅源极电压对导电沟道的影响 转移特性曲线 IDSS VP 0 iD [mA] -3 -2 -1 -4 -5 -6 uGS iD=f (uGS)?uDS (2)、N沟道结型场效应管工作原理 1、UGS =0 时，有较宽的沟道， 漏源极之间的电阻数值较小。 D S G uGS - + vGG P P N沟道 uGS - + vGG D S G P P N沟道 P P N沟道 uGS 2、uGS反向升高时，空间电荷区加宽， 沟道变窄。 3、UGS=UP 时：空间电荷区将沟道夹断。 1、栅源极电压对导电沟道的影响 转移特性曲线 IDSS VP 0 iD [mA] -3 -2 -1 -4 -5 -6 uGS iD=f (uGS)?uDS (2)、N沟道结型场效应管工作原理 1、UGS =0 时，有较宽的沟道， 漏源极之间的电阻数值较小。 - + vGG D S G P P N沟道 P P N沟道 P P N沟道 D S G P P N沟道 uGS - + vGG + - vDD P P 2、漏源极电压对导电沟道的影响 uDS 导电沟道没有被夹断的情况下观察漏极和源极间电压 变化的情况 2、uDS 加正向电压时，漏极一侧空 间电荷区较源极侧宽。 3、UDS 时继续增加时， 夹断区沿沟道向下扩展。 1、UDS =0 时，有均匀沟道， 漏源极之间的电阻数值较小。 P P P P N沟道 D S G D S G P P N沟道 uGS - + vGG 转移特性曲线 输出特性曲线 D G S UGS=0V -1V -3V -4V -2V iD [mA] 0