硅和锗的能带 固体物理 方案策划.pptVIP

§4-8 硅和锗的能带结构;;对实际的三维晶体，以kx、 ky、kz为坐标轴构成k空间， k空间任一矢量代表波矢k， 如图。 其中 （8-3） 设导带底位于k=0，其能 值为E(0)，导带底附近 ;当E(k)为某一定值时，对应于许多组不同的（kx、ky、kz)，将这些组不同的（kx、ky、kz）连接起来构成一个封闭面，在这个面上的能值均相等，这个面称为等能面。可以看出，（8-4）式表示的是 一系列半径为的球面。 它是一系列环绕坐标原点的圆。; 若晶体有各向异性的性质，E(k)与k的关系 沿不同的k方向不一定相同，反映出沿不同的k方 向，电子的有效质量不一定相同，而且能带极值 不一定位于k=0处。设导带底位于k0，能量为 E(k0)，在晶体中选取适当的坐标轴kx、ky、kz，并 令mx*、my*、mz*分别表示沿kx、ky、kz三个方向 的导带底电子的有效质量，用泰勒级数在极值k0 附近展开，略去高次项，得;;二、硅和锗的导带结构;; 硅、锗的价带分为三个带，分别是重空穴带（曲率小的）、轻空穴带（曲率大的）和劈裂带。 由于劈裂带是离开价带顶的，一般只对前两个能带感兴趣。 另外，重空穴比轻空穴有较强的各向异性。;;;;面心立方晶格的第一布里渊区;面心立方晶格的第一布里渊区;;温度系数α和β分别为： 硅： α= 4.73×10-4eV/K β= 636K 锗： α= 4.774×10-4eV/K β= 235K T=300K时， EgSi=1.12eV， EgGe=0.67eV 所以Eg具有负温度系数。 对半导体来说，导带底和价带顶的能量差，即禁带宽度Eg是十分重要的量，因此采用一种简化的能带图。图的水平方向常表示实际空间的坐标。 ;