载流子的统计分布 修改版 微电子学基础课件培训讲解.pptVIP

* 。图2-3给出了半导体硅、锗的本征载流子浓度ni和温度的关系曲线，便于实际工作中查用。由图可以求出：室温下，硅的本征载流子浓度ni＝1.5×1010cm-3，锗的本征载流子浓度ni＝2.4×1013cm-3。可见，半导体的本征载流子浓度很低，但是随着温度的上升，ni迅速增加。例如，在室温附近，温度每增加8℃，硅的本征载流子浓度ni约增加一倍。然而，ni随温度的变化主要由式(2-31)中的指数因子决定，随变化比较缓慢。因此，可以由图2-3中曲线的斜率，确定出材料的禁带宽度Eg。 * 2．费米能级Ei 半导体处于本征情况的费米能级，甩符号Ei表示。据n0=p0即 两边取对数后解得 (2-33) 代入Nc，Nv得 (2-34) 上式第一项表示禁带中线位置，第二项可看作Ei与禁带中线位置的偏离。对常用半导体材料，因第二项比第一项小得多(如硅在室温下，第二项约为0.01eV)，通常认为本征半导体的费米能级见基本上在禁带中线位置。 由于我们可以很容易地计算出热平衡状态下，本征半导体的载流子浓度ni和费米能级Ei为方便起见，可以利用ni和Ei推导出热平衡电子浓度n0和空穴浓度p0的另一种表示形式。 (2-35) 同样推得 33 (2-36) * 利用ni可以把热平衡基本关系式(2-26)改写成更简单的形式。对确定的半导体材料，处于给定温度T的热平衡状态下，ni为确定值，则为常量。即 (