金属半导体和异质结修改版 微电子学基础课件技术方案.pptxVIP

第七章 金属和半导体的接触、半导体异质结构§7.1 金属半导体接触及其能级图§7.2 金属半导体接触整流理论§7.3 少数载流子的注入和欧姆接触§7.4 半导体异质结及其能带图（9-1）§7.5半导体异质pn结的电流电压特性及注入特性（至9.2.1，其余自学）§7.1 金属半导体接触及其能带图金属的能带图功函数金属的功函数半导体的功函数半导体的电子亲和势接触电势差表面态对接触势垒的影响§7.1 金属半导体接触及其能带图金属和半导体的功函数§7.1 金属半导体接触及其能带图金属和半导体的功函数差§7.1 金属半导体接触及其能带图接触电势差接触电势差VDS方的能带弯曲量§7.1 金属半导体接触及其能带图表面态对势垒的影响通常肖特基势垒高度是指qФns。测量结果：表面态，表面能级结论§7.1 金属半导体接触及其能带图表面态对接触势垒的影响§7.2 金属半导体接触整流理论实验如上图：a) S接地，内建电场方向为-X，指向金属；b）外加正电压：M+，外电场方向为+X，使势垒降低，电流加大。C）反向电压加高势垒。结论：金半接触阻挡层具有整流效应：单向导电性§7.2 金属半导体接触整流理论实验结论：金半接触阻挡层具有整流效应：单向导电性§7.2 金属半导体接触整流理论金半接触整流理论：即单向导电性理论分析理论分析：扩散理论热电子发射理论应用:肖特基二极管等§7.2 金属半导体接触整流理论镜像