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SM59R16EEPROM功能使用方法.PDF
SM59R16 EEPROM 功能使用方法
Application Note
SM59R16 EEPROM 功能使用方法
1 适用产品：SM59R16A2 / SM59R08A2
2 EEPROM 使用概述：
烧录次数限制：
SM59R16 使用program flash 模拟为Internal EEPROM，写入保证次数可逹100K。
Page Erase 及Program Byte 的动作说明：
Page Erase 是将flash 的电位全部提升至”1”，Program Byte 是将flash 的电位”high”拉为”low” 。当程序执行一次
Program Byte，IC 内部硬件完整的步骤为：(1)read page(2)modify Byte(3)erase page(4)write page；写N 个
byte，就必须经过N 次(1~4)的步骤。
若少量次数的数据变动，可直接使用EEPROM Program Byte 的方式。若大量的数据变动，为加快Program Byte
完成的速度，可先将 (1)数据page read 至SRAM 中做修改 (2)将该program flash 做page erase (3)将SRAM 资
料写回至program flash。
A. 为什么第一次会较快？
因为当第一次使用时，flash 在program 前已先被erase 为0xFF，当IC 内部硬件判断该地址数据为0xFF，在
program 时就会省略(3)Erase 的步骤。
B. 为什么第二次以后会变慢？
因为使用第二次以后，当IC 内部硬件判断不为0xFF,在program 时就会做(3)Erase 的步骤。
Erase ／Program ／Read ／Modify 测试速度：
System clock Page Erase Program Byte Read Byte Modify Byte
(MHz) (ms) (us) (us) (ms)
25 13.22 112.2 3.12 68.44
24 13.77 116.8 3.25 71.3
22.1184 14.94 126.8 3.53 77.36
12 27.54 233.8 6.5 142.6
11.1592 29.88 253.6 7.05 156.6
Note:
(1)Program Byte 即该位置原数据等于0xFF (2)Modify Byte 即该位置原数据非0xFF
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IRFWX-A092 1 Ver B 2009/02
SM59
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