2009年西理工电力电子技术答案.pdf

请你坚信，有梦想、负重行，行必有果！ 试题编号 814 西 安 理 工 大 学 2009 年攻读硕士学位研究生入学考试命题纸 考试科目 电力电子技术 使用试题学科、专业 电气工程 一. （共20 分，每小题4 分）扼要回答有关电力电子器件及其使用的几个问题（不 需要说明理由）： 1. 普通晶闸管 （SCR）的额定电流 （标称值）是怎样定义的？实际使用中， 若已知通过晶闸管的实际电流有效值I ，通常应如何选取晶闸管的额定电流 （标 T 称值）？ 答：40°C 时，所允许流过SCR 的最大工频正弦半波电流的平均值。 I 选材：IT(AV) (1.5~2) T 1.57 di/dt 过大，即电流上升过快，则SCR 刚一导通，便会有很大的电流集中在 门极附近的小区域，从而造成局部过热，损坏SCR。 2. 图示出IGBT 的正向偏置安全工作区，并指出： 正向偏置安全工作区主要是由哪些参数共同决定的？ 答：最大集电极电流、最大集射极电压、最大集电极 功耗。如右图：（右上角虚线部分，标注的数据是脉冲的 周期时间） 3. 图示出普通晶闸管的触发脉冲电流信号波形，并指出：触发电流信号通 常应该满足哪些要求？ 答：触发信号的要求： 触发脉冲的宽度应保证SCR 可靠导通，一般大于 30°； 触发脉冲应有足够的幅度和脉冲前沿的陡度； 触发脉冲不超过SCR 的门极电压、电流和功率的 定额，且应在伏安特性可靠触发的范围内； 有良好的抗干扰能力、温度稳定性和与主电路的 电气隔离。 4. 图示出电力MOSFET 的漏极伏安特性（即输出 特性），并指出：工作在开关状态的电力MOSFET 通 请你坚信，有梦想、负重行，行必有果！ 常是在那两个区之间来回转化？ 答：通常是在非饱和区和截止区来回转换。 5. 画出全控型电力电子器件的RCD 关断缓冲电路，并分析指出：该关断缓 冲电路的主要不足是什么？ 答：如图所示。不足：该电路消耗电能，存在有效性问题。 二极管的开关速度影响其吸收效果，RCD 不能主动抑制 关断器件上的尖峰电压发生。 二. （40 分）三相全控桥式晶闸管整流电路，阻感负载，电 L 感 极大足以保证电流连续。 1. 画取整流主电路图。并指出各个晶闸管的导通规律及顺序。 答： （注意：将负载画成阻感串联的形式） 导通规律： 按VT1-VT2-VT3-VT4-VT5-VT6 的顺序，相位 60 依次差 °。 共阴极组VT1、VT3、VT5 的脉冲依次差120°， 共阳极组VT4、VT6、VT2 也依次差120°。 VT1 VT4 VT3 VT6 VT5 VT2 同一相的上下两个桥臂，即 与 ， 与 ， 与 ，脉冲相 差180°。 2. 设三相对称交流输入相电压u 220 2sint ，负载电阻R 10Ω，试求取α 30° 2 U I 时的负载上的电压平均值 ？负载电流平均值 ？ d d  答：U 2.34U cos 2.34220cos30 445.83V d 2 U 445.83 I d 44.583A d R 10 3. 画出α 60°时的整流输出负载电压u 的波形。