2010年西理工电力电子技术答案.pdfVIP

请你坚信，有梦想、负重行，行必有果！ 试题编号 814 西 安 理 工 大 学 2010年攻读硕士学位研究生入学考试命题纸 考试科目 电力电子技术 使用试题学科、专业 电气工程 一. （共20 分，每小题4 分）扼要回答有关电力电子器件及其使用的几个问题（不 需要说明理由）： 1. 如何能够使处于导通状态的晶闸管关断？若SCR 导通时的di/dt 过大，容 易导致什么问题发生？ 答：使流过SCR 的电流降低到维持电流之下。方法有：撤掉阳极正向电压 或施加反压；增加负载回路中的电阻等。 di/dt 过大，即电流上升过快，则SCR 刚一导通，便会有很大的电流集中在 门极附近的小区域，从而造成局部过热，损坏SCR。 2. IGBT 正向偏置安全工作区主要是由哪些参数共同决定的？ 答：最大集电极电流、最大集射极电压、最大集电极功耗。 3. 与电力MOSFET 比较，IGBT 的主要优、缺点分别是什么？ 答：优势：饱和压降低，耐高压大电流； 不足：开关频率最高40~50kHz，损耗大，