半导体器件-教学课件.ppt

根据物体导电能力（电阻率）的不同，物质可分为导体(ρ10-1Ω·cm)、绝缘体(ρ109 Ω·cm)和半导体(10-1Ωρ109Ω·cm)三大类。 每个原子最外层的价电子，不仅受到自身原子核的束缚，同时还受到相邻原子核的吸引。因此，价电子不仅围绕自身的原子核运动，同时也出现在围绕相邻原子核的轨道上。于是，两个相邻的原子共有一对共价电子，这一对价电子组成所谓的　　　。硅、锗原子的共价键结构如图所示。 纯净的、不含其他杂质的半导体称为本征半导体。 由于随机热振动致使共价键被打破而产生　　　　　　。 空穴、电子导电机理 由于共价键出现了空穴，在外加电场或其它的作用下，邻近价电子就可填补到这个空位上，而在这个电子原来的位置上又留下新的空位，以后其他电子又可转移　　　　　　　　　　　　到这个新的空位。这样就使　　　　　　　　　共价键中出现一定的电荷迁　　　　　　　　移。空穴的移动方向和电子　　　　　　　　　移动方向是相反的。 1.1.2　杂质半导体 本征半导体中虽有两种载流子，但因本征载子浓度很低，导电能力很差。如在本征半导体中掺入某种特定杂质，成为杂质半导体后，其导电性能将发生质的变化。 于是P区中的空穴会向N区扩散，并在N区被电子复合。而N区中的电子也会向P区扩散，并在P区被空穴复合。这样在P区和N区分别留下了不能移动的受主负离子和施主正离子。 (1) 因为发射结正偏,所以发射区向基区注入电子，形成了扩散电流IEN 。同时从基区向发射区也有空穴的扩散运动，形成的电流为IEP。但其数量小，可忽略。所以发射极电流IE≈IEN 。 (2) 发射区的电子注入基区后，变成了少数载流子。少部分遇到的空穴复合掉，形成IBN。所以基极电流IB≈IBN 。大部分到达了集电区的边缘。 (3) 因为集电结反偏,收集扩散到集电区边缘的电子，形成电流ICN。 (1) 三电流之间的关系 (2) 电流分配关系 (1) UCE=0V时，相当于两个PN结并联。 二、输出特性曲线： 现以IB=60uA一条加以说明. 输出特性曲线可以分为三个区域: 1.3.4 BJT的主要参数 1. 电流放大系数 2. 极间反向电流 IC增加时，? 要下降。当?值下降到线性放大区?值的70％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。 BJT有两个PN结，其反向击穿电压有以下几种 当UGS＞0V时→纵向电场→将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。 ②漏源电压UDS对漏极电流ID的控制作用 当UGS＞UT，且固定为某一值时，来分析漏源电压VDS对漏极电流ID的影响。(设UT=2V，UGS=4V) ②转移特性曲线： ID=f(UGS)?UDS=const 特点： P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。 (4) 重要参数----跨导gm： gm=?iD/?uGS?uDS=const (单位mS) gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用. 在转移特性曲线上， gm为的曲线的斜率。 在输出特性曲线上也可求出gm。 在栅极下方的SiO2层中掺入了大量的金属正离子。所以当UGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。 定义： 夹断电压(UP)--沟道刚刚消失所需的栅源电压UGS. 二、N沟道耗尽型MOSFET 当UGS=0时,就有沟道，加入UDS，就有ID。 当UGS＞0时，沟道增宽，ID进一步增加。 当UGS＜0时，沟道变窄，ID减小。 输出特性曲线 转移特性曲线 1 GS u 0 1 D (V) -1 2 -2 (mA) 4 3 2 i 4 2 u u 3 10V =+2V 1 DS GS D (mA) i = -1V u GS GS GS =0V =+1V u u (V) = -2V＝UP GS u UP N沟道耗尽型MOSFET的特性曲线 三、P沟道MOSFET 四、例题 例1.4.1 绝缘栅场效应管工作状态分析 绝缘栅场效应管组成下图(a)所示电路，图(b)为其输出特性曲线。试问： 图中VT管为哪种导电沟道的场效应管？ 要使电路正常工作，VT管应为何种类型的场效应管？ 在图示曲线和参数条件下，电路能否正常工作？此时VT管处在何种工作状态？ 若将图中VT管改为同样沟道的另一种类型管，电路应作何改动才能正常工作？ (3) 当UCE ＞1V后，收集电子的能力足够强。这时，发射到基区的电子都被集电极收集，形成IC。所以UCE再增加，IC基本保持不变。 同理，可作出IB为其它值的曲线。 (2) UCE ↑ → IC ↑。 IC接近零的区域，相当IB=0的曲线的下