微电子器件可靠性 工艺可靠性06幻灯片课件.ppt

第六章 工艺可靠性;6.1 工艺可靠性技术概述;2.研究工艺可靠性问题的基本出发点： a. “IC可靠性是靠设计、制造出来的”, 随着可靠性要求越来越高，不能只依靠筛选和试验来保证可靠性，而必须从设计和制造两方面解决可靠性问题。 b. IC可靠性与IC质量，特别是IC成品率有着很强的正相关关系，可靠性和成品率对工艺的要求是一致的。 c. 有时IC 可靠性对工艺要求与IC特性参数对工艺的要求是矛盾的。; 6.1.2 工艺可靠性的技术思路 为了保证工艺可靠性要求的实现，需要在以下几个方面同时采取相应措施： 原材料控制 原材料质量水平高低和一致性程度的好坏是保证IC产品可靠性的首要环节。目前IC原材料质量发展到相当高的水平，以致于如果采用传统的“批接收检验”方法检验时，批接收率一般都接近100%，这样就无法区别出原材料中客观存在的质量微小起伏。因此，对原材料质量的控制和管理从批接收检验转向采用PPM和SPC技术。 ; PPM技术：Parts Per Million 即百万分之几，表示不合格品率 SPC技术：statistical process control （统计过程控制） 为了保证持续生产出高可靠性IC产品，不仅要求原材料质量水平高，而且要求每批原材料之间的质量一致性好。为此，高可靠IC生产厂家对原材料供货方实施SPC控制。主要是应用统计分析技术对生产过程进行实施监控，科学地区分生产过程中产品质量的随机波动与异常波动。;环境洁净度控制 a.较大颗粒尘埃可能直接导致金属互连线开路、短路。 b.较小颗粒尘埃虽未使IC失去功能，但能引起互连线局部变窄，介质层质量下降，影响可靠性。 环境洁净度用单位体积空间所含0.5μm尺寸的尘埃数表示。如，100级洁净度表示每立方英尺空间中0.5μm尺寸的尘埃数不大于100粒。;6.2 工艺参数监测技术; c. 芯片工艺结束后的测试（end-of-line test） 例如，在完成管芯工艺加工后，通过专门设计的微电子测试图结构，可以同时测量芯片加工过程中各主要工序的工艺参数。 d.离线测试和分析（off-line test and analysis） 前面三种测量方法是与芯片中的工艺过程同步进行的。为了获得更充分的工艺参数数据，有时还需要在工艺加工后进行离线测试和分析。典型的分析是微分析。 扫描电子显微镜、电子微探针等。 ;微电子测试图技术 a. 含义：没有统一而严格的定义，一般是指这样一类用于微电子器件生产的图形结构：它们与电路管芯经历相同的工艺过程，通过对这些图形进行简单的电学测量就可以提取到有关生产工艺参数和单元器件或电路的电参数。 b.微电子测试图技术的特点： 测试结果准确。由测试原理决定；测试图形与集成电路管芯可以做在同一晶片的相邻位置上，同时经历完全相同的工艺过程。 ; 适用范围广，可以测量常规方法难以获得的一些工艺参数。 例如，四探针测量双极工艺中基区扩散的方块电阻，实际上测的是无源基区（外基区）的方块电阻，而有源基区（内基区） ，即发射区下方那一部分基区的方块电阻很难用四探针法测量，而这一部分基区的方块电阻却是影响晶体管特性的一个重要参数。又如，用四探针法测量埋层的方块电阻后，经过随后的外延等工序作用，方块电阻值会发生变化。 准确得到各参数的真实数值外，还能得到该参数在晶片上及不同晶片间的统计分布情况。 测试结构占用面积不大。300μm *300μm 测试方法简单。; 6.2.2 方块电阻测试中的微电子测试图技术 范德堡公式 对于厚度为W、表面无空洞的任意形状半导体薄层材料，在其侧面任意安排四个点接触电阻，依次记为M、N、O、P。范德堡公式推导用图 若电流从M流入，N流出（IMN）,测O、P之间的电压UOP,记 电流从N流入，O流出（INO）,测P、M之间的电压UPM,记 ;则该半导体材料电阻率为