固体电子学(67,8章习题)f.pptVIP

习题讲解 PN结能级图 画出由p型半导体和金属构成的肖特基势垒在施加正向和反向电压的能带图，分别标出扩散流、漂移流、肖特基热电子电流的方向和相对大小。 热平衡状态下，电子浓度为： 电子电流正比于表面电子浓度 正向偏压下，电子浓度为： 故正向偏压下的净电流为： MIS能级图 ①在室温下，锗的有效状态密度Nc＝1.05×1019cm－3，Nv＝5.7×1018cm－3，试求锗的载流子有效质量mn*和mp*。计算77k时的Nc和Nv。已知300k时，Eg＝0.67eV。77k时Eg＝0.76eV。求这两个温度时锗的本征载流子浓度。②77k，锗的电子浓度为1017cm－3，假定浓度为零，而Ec－ED＝0.01eV,求锗中施主浓度ND为多少？ 计算含有施主杂质浓度ND＝9×1015cm-3及受主杂质浓度为1.1×1016cm-3的硅在300k时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。 掺施主杂质的ND＝1015cm-3n型硅，由于光的照射产生了非平衡载流子Δn＝Δp＝1014cm-3。试计算这种情况下准费米能级的位置，并和原来的费米能级做比较。 用强光照射n型样品，假定光被均匀地吸收，产生过剩载流子，产生率为gL,空穴寿命为?。 （1）写出光照下过剩载流子所满足的方程； （2）求出光照下达到稳定状态时的过载流子浓度。 在一个n型半导体样品中，过剩空穴浓度为1013cm-3, 空穴的寿命为100us。计算空穴的复合率。 画出p型半导体在光照（小注入）前后的能带图，标出原来的的费米能级和光照时的准费米能级。 室温下，p型半导体中的电子寿命为?=350us，电子的迁移率un=3600cm-2/(V?s)。试求电子的扩散长度。 * 空间电荷区内电势由 n?p区不断下降， 空间电荷区内电势能由n?p区不断升高， p区能带相对向上移， n区能带向下移，至费米能级相等， n-p结达平衡状态，没有净电流通过。 势垒高度：qVD = EFn—EFp x V(x) VD -xp xn x － ? ? － － ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? － － － － － － － ? ? ? ? ? ? qVD qVD x qV(x) 0 xn -xp 正偏压 n p + — E 内电场 外加电压 负偏压 n p + — E 内电场 高负偏压 n p + — E 隧道效应 内电场 金属-半导体接触 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?S Wm WS EF EF n m Eo Wm Ws n半导体 EF ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? － － － － 金属 耗尽层 Wm - ?S Wm -WS=eV D En = 形成正的空间电荷区，，其电场的方向由体内指向表面，形成表面势垒，其内的电子浓度比体内小的多，称为高阻层。 Wm Ws Wm Ws ?S - Wm WS - Wm ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? Ef n En = 反阻挡层或积累层 熱平衡狀態 順向偏壓 逆向偏壓 (+) (-) (-) (+) 表面Ec与EF的距离 此式反向偏压也可使用，將VF改为-VR即可。 其中 A＊成为有效Richardson 常數（A/K2-cm2），与有效质量有关，因为可产生热载流子发射的电子浓度在计算時会用到gc(E)(导带状态密度)，故与m*有关。 热载流子发射下，电子净电流可表示为 其中 饱和电流密度（正向偏压時为正，反向偏压時为负） n型硅为110，p型硅为32； n型砷化鎵为8，p型砷化鎵为74。 表面势为负值时，表面处能带向上弯曲，，在热平衡状态下，半导体内费米能级为一定值，随着向表面接近，价带顶将逐渐移近甚至超过费米能级，同时，价带中的空穴浓度也随之增加，结果表面层内出现空穴的堆积而带正电。 表面空间电荷层 的三种状态（主要讨论p型半导体） 1）多数载流子堆积状态 － － － － － － － ? ? ? ? ? ? ? EF p 当表面势为正值时，表面处能带向下弯曲，越接近表面，费米能级离价带顶越远，价带顶空穴浓度随之降低，在靠近表面的一定区域内，价带顶比费米能级低的多，根据波尔兹曼分布，表面处空穴浓度将比体内浓度低的多。 2）多数载流子耗尽状态 － － － － － － － ? ? ? ? ? ? ? p 在2）的基础上，表面处能带进一步向下弯曲，越接近表面，表面处费米能级可能高于禁带中央能量，即，费米能级离导带