光电二极管1.pptxVIP

按材料分为：硅光电二极管、锗光电二极管、砷化镓、锑化铟光电二极管 国产硅光电二极管按衬底材料的导电类型不同，分为2CU和2DU两种系列。 2CU系列以N-Si为衬底， 2DU系列以P-Si为衬底，2CU系列光电二极管只有两个引出线， 而2DU系列光电二极管有三条引出线，除了前极、后极外，还设了一个环极。2DU管加环极的目的是为了减少暗电 流和噪声。;(1)PN光电二极管的结构; （a） （b） 光电二极管外形、符号与光电特性的测量电路;;;(2) PN光电二极管光照特性;(3) PN光电二极管光谱特性;(4)PN光电二极管的伏安特性; 在光电技术中常采用重新定义电流与电压正方向的方法把特性曲线旋转成如图3-4所示。重新定义的电流与电压的正方向与PN结内建电场的方向相同。 ;;(5)PN光电二极管的温度特性;(6)入射特性 由于入射窗口不同，造成光电灵敏度随入射方向而变化的特性。 聚光透镜：由于聚光位置与入射光位置有关，排除了杂散光的干扰，当入射光与入射光主轴重合时，灵敏度最大。 平板透镜：聚光作用差，易受杂散光的干扰，光易反射，极值灵敏度小。;;;可见，IL是频率的函数，随着入射光调制频率的增加而减小。当ω=1/τ时，这时f = 1/2πτ 称为上限截止频率，或称为带宽。 ;一般2DU硅光电二极管的结电容为3PF，响应时间为0.1us，带宽为2MHz。 要改变频率特性，就要改变时间常数。;(8) 噪声 ;;2 PIN管;;3 雪崩光电二极管;;;2.).工作原理 ; 雪崩倍增系数M与碰撞电离率有密切的关系。碰撞电离率表示一个载流子在电场作用下，漂移单位距离所产生的电子—空穴对数目。实际上电子电离率αn和空穴电离率αp 是不完全一样的，它们都与电场强度有密切关系。由实验确定，电离率与电场强度E可以近似的写成以下关系 ; 在强电场作用下，当通过耗尽区的每个载流子平均能产生一对电子—空穴时，就发生雪崩击穿现象。当M—∞时，PN结上所加的反向偏压就是雪崩击穿电压UBR。 ;3.噪声 ; 当电压等于反向击穿电压时，电流增益可达106，即产生所谓的自持雪崩。 这种管子响应速度特别快，带宽可达100GHz，是目前响应速度最快的一种光电二极管。 噪声大是这种管子目前的一个主???缺点。 由于雪崩反应是随机的，所以它的噪声较大，特别是工作电压接近或等于反向击穿电压时，噪声可增大到放大器的噪声水平，以至无法使用。