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基于S3C2410系统硬件设计
第 5 章 基于S3C2410的系统硬件设计 * * 第5章 基于S3C2410的系统硬件设计 S3C2410简介 S3C2410是Samsung公司推出的16/32位RISC处理器,主要面向手持设备以及高性价比、低功耗的应用。 CPU内核采用的是ARM公司设计的16/32位ARM920T RISC处理器。 S3C2410A提供一组完整的系统外围设备: 2个USB主设备接口,1个USB从设备接口; 4通道PWM定时器和1通道内部定时器; 看门狗定时器; 117位通用I/O口和24通道外部中断源; 电源控制模式包括:正常、慢速、空闲和掉电四种模式; 8通道10位ADC和触摸屏接口; 具有日历功能的RTC; 使用PLL的片上时钟发生器。 1.8V/2.0V内核供电,3.3V存储器供电,3.3V外部I/O供电; 具有16KB的ICache和16KB的DCache以及MMU; 外部存储器控制器; LCD控制器提供1通道LCD专用DMA; 4通道DMA并有外部请求引脚; 3通道UART和2通道SPI; 1通道多主机IIC总线和1通道IIS总线控制器; SD主接口版本1.0和MMC卡协议2.11兼容版; S3C2410A采用了ARM920T内核,0.18um工艺的CMOS标准宏单元和存储器单元。它的低功耗、精简和出色的全静态设计特别适用于对成本和功耗敏感的应用。同样它还采用了一种叫做AMBA新型总线结构。 S3C2410A显著特性是CPU核心。 ARM920T实现了MMU,AMBA BUS和Harvard高速缓冲体系结构。这一结构具有独立的16kB指令Cache和16kB数据Cache,每个都是由8字长的行(line)构成。 通过提供一系列完整的系统外围设备,S3C2410A大大减少了整个系统的成本,消除了为系统配置额外器件的需要。 S3C2410结构框图 S3C2410A的272 脚FBGA 封装 存储器控制器 S3C2410A的存储器控制器提供访问外部存储器所需要的存储器控制信号。存储器控制是通过相关的寄存器来实施的。寄存器分为控制寄存器和状态寄存器。可以给控制寄存器赋值以得到所需要的状态,而状态寄存器会根据情况自行产生变化。 NAND Flash与NOR Flash NAND Flash与NOR Flash是有很大不同的。 NOR Flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。 NAND Flash用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。 所有Flash器件都受位交换现象的困扰,此问题更多见于NAND Flash。必须采用错误检测/错误更正(EDC/ECC)算法确保可靠性。 SRAM,静态的随机存取存储器,加电情况下,不需要刷新,数据不会丢失,而且,一般不是行列地址复用的。需要更大的硅片面积,成本较高。它的存取时间比DRAM要短得多,经常用于Cache。 SDRAM,同步的DRAM,即数据读写需要时钟来同步。因而能够工作在较高的时钟频率下。数据从存储元(memory cell) 被流水化地取出,最后突发式(burst)输出到总线。 DRAM和SDRAM由于实现工艺问题,容量较SRAM大。但是读写速度不如SRAM。 SRAM与SDRAM 当前,NOR flash存储器的价格比较昂贵,而SDRAM和NAND flash存储器的价格相对来说比较合适,这样就激发了一些用户产生希望从NAND flash启动和引导系统,而在SDRAM上执行主程序代码的想法。 S3C2410A恰好满足这一要求,它可以实现从NAND flash上执行引导程序。 S3C2410A具备一个内部SRAM缓冲器--“Steppingstone”。 当系统启动时,NAND flash存储器的前面4KByte字节将被自动载入到Steppingstone中,然后系统自动执行这些载入的引导代码。 S3C2410X具有三种启动方式,可通过OM [1:0]管脚(OM0为管脚U14, OM1为管脚U15)进行选择。 OM [1:0] = 00 从Nand Flash 启动; OM [1:0] = 01 从16位宽的ROM启动; OM [1:0] = 10 从32位宽的ROM启动; OM [1:0] = 11 TEST模式。 Nand Flash 工作方式 Steppingston
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