激光器水冷机关键技术分析-key technology analysis of laser water cooler.docxVIP

第一章绪论1962年，科学工作者根据前苏联科学家巴索夫的半导体激光器理论，制造成了世界上第一台GaAs半导体激光器。经过近半个世纪的发展，半导体激光器经历了最初的同质结、单异质结、双异质结型，到后来的半导体量子阱型，1978年世界上第一只半导体量子阱激光器(QWL)问世，量子阱型半导体激光器又从布里-玻罗谐振腔型发展到分布式反馈型、垂直腔型等结构形式。半导体激光器的产生，不仅带动了光通讯技术的进步，也带动了整个激光技术的的升级，在当今工业加工制造、通讯、医疗和军事等领域中，半导体激光器成为应用最为普遍的激光器件。§1-1半导体激光器简介半导体激光器（Semiconductorlaserdiode，简称LD）是使用直接带隙半导体材料构成的PN结或PIN结作为工作本体，使其产生受激辐射，再利用谐振腔提供的光反馈制作的一类半导体器件；常用的半导体材料有砷化钾（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟（InP）、硫化锌（ZnS）等[1]。激励办法包括PN结电流注入激发、电子束激励和光激励三种形式，第一种激发形式的器件称为注入型半导体激光器或激光二极管，是半导体激光器的主要种类应用广泛，第二、三种激发形式的器件不易于推广应用。半导体激光器具有体积小、重量轻、输入电压小、结构简单、寿命长、转换效率高、功耗低、价格低廉、易于调制等有利因素[2]。同其它固体、气体等品种的激光器比较，以半导体为工作物质