半导体物理2013年(第五章).pptVIP

第5章 非平衡载流子;一、非平衡载流子的注入 ⒈非平衡载流子的概念 处于热平衡态的半导体,在一定温度下,载流子浓度是恒定的.本章用n0和p0分别表示平衡电子浓度和平衡空穴浓度. 对半导体施加外界作用,可使其处于非平衡状态,此时比平衡态多出来的载流子,称为非平衡载流子或过剩载流子，此时电子和空穴浓度常用n和p表示。; 设想有一个N型半导体(n0p0),若用光子的能量大于禁带宽度的光照射该半导体时,则可将价带的电子激发到导带,使导带比平衡时多出一部分电子Δn,价带比平衡时多出一部分空穴Δp，即材料进入了非平衡状态. 在这种情况下,电子浓度和空穴浓度分别为:; 对N型半导体,电子称为非平衡多数载流子,而空穴称为非平衡少数载流子，对于P型材料则相反.; 但Δpp0 ，说明即使在小注入情况下，虽然多数载流子浓度变化很小，可以忽略，但非平衡少数载流子浓度还是比平衡少数载流子浓度大很多，因而它的影响是十分重要的。相对来说，非平衡多数载流子的影响可以忽略。 实际上，非平衡少数载流子起着主要作用，通常所说的非平衡载流子往往是指非平衡少数载流子。 ;⒉非平衡载流子对材料电导的影响 注入的非平衡载流子可以引起电导调制效应,使半导体的电导率由平衡值σ0增加为σ + Δσ,附加电导率Δσ可表示为;则电阻改变; 除了光注入,还可以用电注入方法或其他能量传递方式产生非平衡载流子。给P-N结加正向电压,在接触面附近产生非平衡载流子,就是最常见的电注入的例子.另外,当金属与半导体接触时,加上适当极性的电压,也可以注入非平衡载流子.;二、非平衡载流子的复合 非平衡载流子是在外界作用下产生的,当外界作用撤除后，由于半导体的内部作用,非平衡载流子将逐渐消失,也就是导带中的非平衡载流子落入到价带的空状态中,使电子和空穴成对地消失,这个过程称为非平衡载流子的复合。最后，载流子浓度恢复到平衡时的值，半导体又回到平衡状态。 非平衡载流子的复合是半导体由非平衡态趋向平衡态的一种驰豫过程。通常把单位时间单位体积内产生的载流子数称为载流子的产生率；而把单位时间单位体积内复合的载流子数称为载流子的复合率。; ①在热平衡情况下，由于半导体的内部作用，产生率和复合率相等，使载流子浓度维持一定。 ②当有外界作用时(如光照)，破坏了产生和复合之间的相对平衡，产生率将大于复合率，使半导体中载流子的数目增多,即产生非平衡载流子。但随着非平衡载流子数目的增多，复合率也相继增大。当产生和复合这两个过程的速率相等时，非平衡载流子数目不再增加,达到稳定值。 ③在外界作用撤除以后，复合率超过产生率，结果使非平衡载流子逐渐减少，最后恢复到热平衡状态。;非平衡载流子的注入和复合过程（稳定光注入）;§5.2 非平衡载流子的寿命;§5.2 非平衡载流子的寿命; 其中,Δp0是t=0时的非平衡载流子浓度.上式表明,非平衡载流子浓度随时间按指数规律衰减,τ是反映衰减快慢的时间常数,τ越大,Δp衰减的越慢.所以, τ标志着非平衡载流子在复合前平均存在的时间，也是非平衡载流子浓度衰减到初值时1/e时的时间。 寿命是标志半导体材料质量的主要参数之一.依据半导体材料的种类、纯度和结构完整性的不同,它可以在10-2～10-9s的范围内变化，例如通常制造晶体管的锗材料寿命在几十微秒到二百多微秒间。; 在实验上可以利用多种方法测量寿命τ，直流光电导衰减法是最常用的一种,其基本原理的示意图.光脉冲照在半导体样品上,在样品中产生非平衡载流子,使样品的电导发生改变.测量光照结束后，附加电导Δσ的变化.选择时串联电阻RL的阻值远大于样品电阻R. 当样品的电阻因光照而改变时, 流过样品的电流 I 基本不变. ;§5.3 准费米能级;对于非平衡的非简并半导体,电子和空穴浓度的表示式为:;§5.3 准费米能级; 与n0p0=ni2比较,可以看出EFn和EFp之间的距离的大小,直接反映了半导体偏离平衡态的程度. ①两者的距离越大,偏离平衡态越显著; ②两者的距离越小,就越接近平衡态; ③当两者重合时,有统一的费米能级,半导体处于平衡态. ;准费米能级的性质： 在有非平衡载流子存在时,由于nn0和pp0,所以无论是EFn还是EFp都偏离EF。EFn偏向导带底Ec,而EFp则偏向价带顶Ev。但是,EFn和EFp偏离EF的程度是不同的. 一般来说，多数载流子的准费米能级非常靠近平衡态的费米能级EF,两者基本上是重合的,而少数载流子的准费米能级则偏离EF很大.;§5.4 复合理论;§5.4 复合理论;⒈发射光子——电子在能级