[理学]第五章 无机材料的电导.ppt

材料电学性能的应用 电导率和电阻率的意义 意义：是材料的本征参数，与材料的形状尺寸无关，从 而可以用来评价比较材料自身的导电性。 小结 1、本征电导即离子、空位等的产生，这尤其是在高温下十分显著；杂质电导杂质离子是弱联系离子，故在较低温度下其电导也表现得很显著。 2、A、固有电导(本征电导)中晶体的热缺陷主要有两类：弗仑克尔缺陷和肖特基缺陷，固有电导在高温下才会显著地增大；B、杂质离子载流子的浓度决定于杂质的数量和种类。低温下，离子晶体的电导主要由杂质载流子浓度决定。 3、离子迁移率：正离子顺电场方向 “迁移”容易，反电场方向“迁移”困难。 4、离子晶体的电导主要为杂质电导 5、离子扩散机构主要有：1、空位扩散；2、间隙扩散；3、亚晶格间隙扩散 6、影响离子电导率的因素：A、温度，在低温下，杂质电导占主要地位(曲线1)，高温下，固有电导起主要作用。 B、晶体结构，关键点：活化能大小――决定于晶体间各粒子结合力，C、晶体缺陷 概述 电子电导的载流子是电子或空穴； 电子电导主要发生在导体和半导体中； 能带理论指出：在具有严格周期性电场的理想晶体中的电子和空穴 ，在绝对零度下的电子运动时不受阻力，迁移率为无限大。当周期性受到破坏时，才产生阻碍电子的运动的条件； 电场周期破坏的来源是：晶格热振动、杂质的引入、位错和裂纹等； 电子与点阵的非弹性碰撞引起电子波的散射是电子运动受阻的原因之一。 l ： 平均自由程 ： 电子运动的平均速度 n ： 单位体积的自由电子数 m ： 自由电子质量 e ： 自由电子电荷 ： 电子两次碰撞之间的平均时间 电导率计算公式为： nef ：单位体积内参与导电的有效自由电子数 t ：两次散射之间的平均时间 p ：单位时间内散射的次数，散射几率 能级的分布可以看成是准连续的，金属中的价电子是公有化，能量是量子化 金属中离子造成的势场是不均匀的，而是呈周期变化的 电子在周期势场中运动时，随着位置的变化，它的能量也呈周期性的变化（接近正离子时势能降低，离开时势能增高） 价电子在金属中的运动不能看成完全自由的，而是受到周期势场的作用 由于周期势场的影响，使得价电子在金属中以不同能量状态分布的能带发生分裂，即有某些能态电子是不能取值的，存在能隙 三种导电理论的主要特征的变化 特点 元素周期表中的IVA族的C、Si、Ge、Sn、Pb 原子间的结合是共价键 本征半导体－指纯净的无结构缺陷的半导体单晶！ 本征半导体小结 本征激发成对地产生自由电子和空穴，自由电子浓度和空穴浓度相等 禁带宽度越大，载流子浓度越小 温度升高时，载流子浓度增大 载流子浓度与原子浓度相比是极小的，所以本征半导体的导电能力很微弱 加五价元素：磷、砷、锑，晶体中自由电子浓度增加。 原因： 五价元素的原子有五个价电子； 顶替晶格中的一个四价原子时，有一个价电子变成多余； 这个价电子能级ED靠近导带底，（EC-ED）比Eg小得多 多余价电子具有大于（EC-ED）的能量，进入导带成为自由电子 n型半导体结构 n型半导体能带图 五价元素称为施主杂质；ED施主能级；（EC-ED）施主电离能 n型半导体中，自由电子浓度大，自由电子称为多数载流子（多子）；空穴称为少子 在电场作用下，以电子导电为主（电子型半导体） 掺入三价杂质元素：硼、铝、镓、铟，空穴浓度增加 多余一个空位置，其它同n型半导体 三价元素称为施主杂质；EA施主能级 p型半导体中，空穴浓度大，空穴称为多数载流子（多子）；自由电子称为少子 在电场作用下，以空穴导电为主（空穴型半导体） 在温度变化不大时，电导率与温度关系符合指数式。 总的迁移率μ受散射的控制： （1）声子对迁移率的影响可写成 μL=aT-3/2(温度越高，迁移率越低） （2）杂质离子对迁移率的影响可写成 μI=bT3/2（温度越高，迁移率越高） 上两式中，a，b为常数，决定于不同的材料。 总迁移率1/ μ=1/ μL+1/μI，可知，低温下杂质离子散射项起主要作用；高温下，声子散射项起主要作用。 一般μ受T的影响比起载流子浓度n受T的影响要小得多。因此电导对温度的依赖关系主要取决于浓度项。 1、电子电导主要发生在导体和半导体中，电子与点阵的非弹性碰撞引起电子波的散射是电子运动受阻的原因之一。 2 电子迁移率：掺杂浓度和温度对迁移率的影响，本质是对载流子散射强弱的影响。 3 载流子浓度：本征半导体中的载流子是由热激发产生的，其浓度与温度呈指数关系。 4、导体、半导体、绝缘体的能带图。 5、费米能级是0K时电子所占据的最高能级。 6、杂质对半导体的导电性能影响很大 7、电子电导率的计算及影响因素 多晶