半导体器件基础第2讲.pptVIP

4. 有两只晶体管，一只的β=200，ICEO=200μA；另一只的β=100，ICEO=100μA，其他参数大致相同。你认为应选用哪种管子？为什么？ 5. 为使NPN型管和PNP型管工作在放大状态，应分别在外部加什么样的电压？ 思考题 1. 既然BJT具有两个PN结，可否用两个二极管相联以构成一只BJT，试说明其理由。 2. 能否将BJT的e、c两个电极交换使用，为什么？ 3. 为什么说BJT是电流控制型器件？ 第64页/共75页 例2：有三只晶体管，分别为? 锗管β＝150，ICBO＝2μA；? 硅管β＝100，ICBO＝1μA； ?硅管β＝40，ICEO＝41μA；试从β和温度稳定性选择一只最佳的管子。 解： β 值大，但ICBO也大，温度稳定性较差； ? β 值较大，ICBO＝1μA，ICEO＝101 μA ； ? β 值较小，ICEO＝41μA， ICBO＝1μA。 ? 、? ICBO相等，但? 的β 较大，故? 较好。 第65页/共75页 例1：由晶体管各管脚电位判定晶体管属性 （1）? A: 1V B：0. 3V C: 3V （2 ）A: －0. 2V B: 0V C: －3V 如何区分硅管和锗管 如何区分NPN、PNP管 如何区分三个极 A. ︱UBE ︳≈0. 2V(锗管） ︱UBE ︳≈0. 7V(硅管） B. 步骤：1. 区分硅管、锗管，并确定C极（以 相近两个电极的电压差为依据， UBE硅＝0.7V ／UBE锗＝0.2V～0.3 V） 2. 区分NPN、PNP管 （NPN：VC最高 ， PNP： VC最低 ） 3. 区分三极 （ NPN： VC VB VE PNP： VC UB VE） 解： （1） 硅管 、NPN管 A：基极 ；B: 发射极； C: 集电极 （2） 锗管 、 PNP管 A: 基极； B: 发射极 ； C: 集电极 第66页/共75页 例3 一个NPN管子在电路中正常工作，现测得 则此时该管子工作区为（ ） a) 饱和区 b) 截止区 c) 放大区 C 判断晶体管的工作状态： 根据发射结和集电结的偏置情况判断。 截止状态：发射结和集电结都反偏； 放大状态 ：发射结正偏，集电结反偏； 饱和状态：发射结和集电结都正偏。 第67页/共75页 三极管工作状态的判断 [例1]：测量某NPN型BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域？ （1） VC ＝6V　 　VB ＝0.7V　 VE ＝0V （2） VC ＝6V　 　VB ＝4V　 VE ＝3.6V （3） VC ＝3.6V　 VB ＝4V　 VE ＝3.3V 解： 正偏 反偏 反偏 集电结 正偏 正偏 反偏 发射结 饱和 放大 截止 对NPN管而言，放大时VC ＞ VB ＞ VE 对PNP管而言，放大时VC ＜ VB ＜VE （1）放大区 （2）截止区 （3）饱和区 第68页/共75页 例2 下图 所示各晶体管处于放大工作状态，已知各电极直流电位。试确定晶体管的类型（NPN /PNP、硅/锗），并说明x、y、z 代表的电极。 图 第69页/共75页 提示： （1）晶体管工作于放大状态的条件：NPN管：UC UBUE，PNP管：UEUBUC；（2）导通电压：硅管|UBE|= 0.6~0.7v，硅管|UBE|= 0.2~0.3v， 第70页/共75页 例3 图所示电路中，晶体管为硅管， UCE（sat）=0.3v 。求：当UI=0v、UI=1v 和UI=2v时UO=? 解：(1) UI=0v时， UBE Uon，晶体管截止，IC=IB=0，UO= uCC=12v。 第71页/共75页 (3) UI=2v时： (2) UI=1v时： 第72页/共75页 [例4]　某放大电路中BJT三个电极的电流如图所示。IA＝-2mA,IB＝-0.04mA,IC＝+2.04mA,试判断管脚、管型。 解：电流判断法。 　电流的正方向和KCL。IE=IB+ IC A B C IA IB IC C为发射极 B为基极 A为集电极。 管型为NPN管。 第73页/共75页 11.3V 0V 12V 3.7V 3V 12V 15V 14.8V 12V 11.8V 15V 12V 测得放大电路的四只晶体管的直流电位如图所示，在圆圈中画出管子，并分别说明是NPN还是P