半导体制造技术第四章.pptVIP

* * * * 区熔法 区熔法晶体生长是在本文中介绍的技术历史上早期发展起来的几种工艺之一，仍然在特殊需要中使用。直拉法的一个缺点是坩埚中的氧进入到晶体中，对于有些器件，高水平的氧是不能接受的。对于这些特殊情况，晶体必须用区熔法技术来生长以获得低氧含量晶体。 区熔法晶体生长（图3.10）需要一根多晶棒和浇铸在模子里的掺杂物。籽晶熔合到棒的一端。夹持器装在单晶炉里。当高频线圈加热多晶棒和籽晶的界面时，多晶到单晶的转变开始了。线圈沿着多晶棒的轴移动，一点点把多晶棒加热到液相点。在每一个熔化的区域，原子排列成末端籽晶的方向。这样整个棒以开始籽晶的定向转变成一个单晶。 区熔法晶体生长不能够象直拉法那样生长大直径的单晶，并且晶体有较高的位错密度，但不需用石英坩埚会生长出低氧含量的高纯晶体。低氧晶体可以使用在高功率的晶闸管和整流器。这两种方法比较如图3.11。 * * dreamtower@163.com 第32页/共57页 dreamtower@163.com 两种方法的比较 CZ法是较常用的方法 价格便宜 较大的晶圆尺寸 (直径300 mm ) 晶体碎片和多晶态硅再利用 悬浮区熔法 纯度较高(不用坩埚) 价格较高，晶圆尺寸较小 (150 mm) 高压大功率元件 第33页/共57页 dreamtower@163.com * 直拉法和区熔法晶体生长的比较 第34页/共57页 dreamtower@163.com 第35页/共57页 dreamtower@163.com 硅片的制备 晶体生长 整型 切片 磨片倒角 刻蚀 抛光 清洗 检查 包装 第36页/共57页 dreamtower@163.com 定位边研磨 径向研磨 去掉两端 整型处理： 1.去掉两端； 2.径向研磨； 3.硅片定位边或定位槽 第37页/共57页 dreamtower@163.com 切片（内圆切割机/线锯） 内圆切割机 第38页/共57页 dreamtower@163.com 磨片和倒角 粗略研磨； 使用传统的浆料； 移除表面大部分损伤 产生平坦的表面 减小位错的影响 第39页/共57页 dreamtower@163.com 刻蚀 消除硅片表面的损伤和沾污 将硝酸 (水中浓度79% ), 氢氟酸(水中浓度49% ), 和纯醋酸 依照4:1:3 比例混合. 化学反应式: 3 Si + 4 HNO3 + 6 HF ? 3 H2SiF6 + 4 NO + 8 H2O 第40页/共57页 dreamtower@163.com 普通的磨片完成过后硅片表面还有一个薄层的表面缺陷。现在的抛光是机械加化学，经过抛光工艺后使硅片表面真正达到高度平整、光洁如镜的理想表面。 抛光 第41页/共57页 dreamtower@163.com 研磨液 研磨垫 压力 晶圆夹具 晶圆 抛光 第42页/共57页 dreamtower@163.com Upper polishing pad Lower polishing pad Wafer Slurry 第43页/共57页 dreamtower@163.com 200 mm的晶圆厚度和表面平坦度的变化 76 mm 914 mm 晶圆切片之后 边缘圆滑化之后 76 mm 914 mm 12.5 mm 814 mm 2.5 mm 750 mm 725 mm 几乎是零缺陷的表面 粗磨之后 刻蚀之后 CMP 之后 第44页/共57页 dreamtower@163.com 清洗 硅片评估 包装 第45页/共57页 dreamtower@163.com 质量测量 物理尺寸 平整度 微粗糙度 氧含量 晶体缺陷 颗粒 体电阻率 第46页/共57页 dreamtower@163.com 硅片要求 第47页/共57页 dreamtower@163.com 物理尺寸： 直径 厚度 晶向位置和尺寸 定位边 硅片变形 第48页/共57页 dreamtower@163.com 平整度： 通过硅片的直线上的厚度变化。 对光刻工艺很重要。 有局部平整度和整体平整度之分 第49页/共57页 dreamtower@163.com 微粗糙度 测量了硅片表面最高点和最低点的高度差别，用均方根表示。用几种光学表面形貌分析仪的一种进行的。 第50页/共57页 dreamtower@163.com 氧含量 少量的氧能起俘获中心的作用，束缚硅中的沾污物。然而过量的氧会影响硅的机械和电学特性。通过横断面检测。 第51页/共57页 dreamtower@163.com