常用半导体器件基础知识二极管三极管.pptVIP

* * * * * * * * * 因为有两个回路，所以晶体管特性曲线包括输入和输出两组特性曲线。这两组曲线可以在晶体管特性图示仪的屏幕上直接显示出来，也可以用图中电路逐点测出。 * * (1)在uCE≥1V的条件下，当uBEUBE(on)时，iB≈0。 UBE(on)为晶体管的导通电压或死区电压，硅管约为0.5~0.6V，锗管约为0.1V。当uBE UBE(on)时，随着uBE的增大，iB开始按指数规律增加，而后近似按直线上升。 (2)当uCE =0时，晶体管相当于两个并联的二极管，所以b,e间加正向电压时，iB很大。对应的曲线明显左移。 (3)当uCE在0~1V之间时，随着uCE的增加，曲线右移。特别在0 uCE ≤UCE(sat)的范围内，即工作在饱和区时，移动量会更大些。 (4)当uBE0时，晶体管截止，iB为反向电流。若反向电压超过某一值时，e结也会发生反向击穿。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * BJT的三种组态 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 特性曲线是描述晶体管各极电流与极间电压关系的曲线。三种基本接法(组态)，分别称为共发射极、共基极接法和共集电极。其中，共发射极接法更具代表性，所以我们主要讨论共发射极伏安特性曲线。 第63页/共88页 * * IC mA ?A V V UCE UBE RB IB VCC VBB 实验线路 第64页/共88页 * * 一、共发射极输入特性 共射输入特性曲线是以uCE为参变量时，iB与uBE间的关系曲线，即 典型的共发射极输入特性曲线如图所示。 第65页/共88页 * * UCE ?1V iB(?A) uBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.8V,锗管UBE?0.1~0.3V。 UCE=0V UCE =0.5V 死区电压，硅管0.5V，锗管0.1V。 一、共发射极输入特性 第66页/共88页 * * 二、共发射极输出特性曲线 共射输出特性曲线是以iB为参变量时，iC与uCE间的关系曲线，即 输出特性可以划分为三个区域， 对应于三种工作状态。 第67页/共88页 * * iC(mA ) 1 2 3 4 uCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域满足IC=?IB称为线性区（放大区）。 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB。 1、放大区 第68页/共88页 * * iC(mA ) 1 2 3 4 uCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。 2、饱和区 第69页/共88页 * * iC(mA ) 1 2 3 4 uCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压，称为截止区。 3、截止区 第70页/共88页 * * 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCE?UBE ， ?IBIC，UCE?0.3V (3) 截止区： UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ?0 输出特性三个区域的特点: 第71页/共88页 * * 例： ?=50， UCC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当UBB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ 当UBB = -2V时： IC UCE IB UCC RB UBB C B E RC UBE IB=0 ， IC=0 Q位于截止区 第72页/共88页 * * IC ICmax (=2mA) ， Q位于放大区。 IC UCE IB UCC RB UBB C B E RC UBE UBB =2V时： IC最大饱和电流： 第73页/共88页 * * UBB =5V时: Q 位于饱和区，此时IC 和IB 已不是 ? 倍的关系。 第74页/共88页 * * 前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。 共射直流电流放大倍数： 工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?IB，相应的集电极电流变化为?IC，则交流电流放大倍数为： 1. 电流放大倍数和 ? 1.3.4 晶体管的主要参