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8V P沟道增强型MOSFET.pdf
8V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET
VDS= -8V XP2305DSL
mΩ
RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@ 3.5A = 68
R mΩ
DS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@ 3A = 81 3
mΩ
RDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@ 2A = 118
Features 1
Advanced trench process technology
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 2
SOT– 23 (TO–236AB)
Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
Improved Shoot-Through FOM
we declare that the material of product
3 D
compliance with RoHS re uirements .
q
▼▼ Simple Drive Requirement
▼▼
G
▼▼ Small Package Outline 1
▼▼
S
▼▼ Surface Mount Device 2
▼▼
Ordering Information
Device Marking Shipping
XP2305DSL P5S 3000/TapeReel
XP2305DSL-3G P5S 10000/TapeReel
o
Maximum Ratings and Thermal Characteristics (T = 25 C unless otherwise noted)
A
Parameter Symbol Limit
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