三极管 模拟电子 传感器技术 知识 .ppt

;2.1.1 双极型半导体三极管的结构 2.1.2 双极型半导体三极管电流的分配 与控制 2.1.3 双极型半导体三极管的电流关系 2.1.4 双极型半导体三极管的特性曲线 2.1.5 半导体三极管的参数 2.1.6 半导体三极管的型号;2.1.1双极型半导体三极管的结构; 双极型三极管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米。;2.1.2 双极型半导体三极管的电流分配与控制; 以上关系在图02.02的动画中都给予了演示。由以上分析可知，发射区掺杂浓度高，基区很薄，是保证三极管能够实现电流放大的关键。若两个PN结对接，相当基区很厚，所以没有电流放大作用，基区从厚变薄，两个PN结演变为三极管，这是量变引起质变的又一个实例。;问题1：除了从三极管的电流分配关系可以 证明 IE=IC+IB 。还可以通过什么方 法加以说明？