TU-4.10 布洛赫电子在恒定磁场中电子的运动-54课件.pptxVIP

4.10 布洛赫电子在恒定磁场中的准经典运动;4.10 在恒定磁场中电子的运动：;一. 恒定磁场中的准经典运动;表明，沿磁场方向k 的分量不随时间而变，;也可从公式;所以，电子在k 空间中的运动是循环的，经过一段时间后又回到出发的那一点。按照上式：;对于自由电子：;磁场作用下自由电子 在k 空间中的运动轨道 是圆。其回旋频率：;由上面自由电子的公式可以给出：磁场沿z 轴方向，有：（推导）;实空间中电子的运动图象：沿磁场方向（z方向），电子作匀速运动，在垂直于磁场的平面内，电子作匀速圆周运动。;在主轴坐标系中有;二、自由电子的轨道量子化;由于哈密顿算符中不含x 和z，;上式是中心位置在y = y0，振动圆频率为ωc的线性谐振子。;解为 Nn为归一化因子，Hn(y)为厄密多项式。 相应的能量本征值为;公式说明沿磁场方向电子 保持自由运动，在垂直磁 场的x-y平面上，电子运动 是量子化的，从准连续的;于是，磁场中的能态 密度曲线和磁场为零 时的能态密度曲线相 比发生了巨大变化， 形成了一系列的峰值 ，相邻两峰之间的能 量差是 。 能态 密度变化的这种特点 深刻地影响了晶体的 物理性质。 De Haas－Van Alphen效应就是这 一性质的具体反映。;4.11 布洛赫电子在相互垂直的电场和磁场中的运动;三、霍尔（Hall）效应;我们先采用自由电子模型说明： 在如下图所示配置下，导体中电荷e 受的洛伦兹力：; 在外磁场的作用下，原来在-x 方向漂移的电子受到Lorentz力作用发生向下的偏转，电子积累在晶体下（后）表面，产生净负电荷，同时上（前）表面因缺少电子而出现净正电荷，于是，这些正负表面电荷形成了霍尔电场。; 测量了很多金属的霍尔系数，和自由电子论预计的理论计算值相符，但也有一些金属霍尔系数理论和实验值不符（见下页表），甚至符号也相反，存在正电荷导电的判断已在能带论中得到解释。从公式不难看出，载流子浓度越低，Hall系数就越大，霍尔效应就越明显，因此，霍尔效应在半导体的研究和应有中有重要价值，由霍尔系数的测定可以直接确定半导体中载流子的浓度，它的符号可以确定载流子的类型，是电子导电还是空穴???电。 半导体的霍尔效应也可以用于磁场测量。; 当晶体中同时有两种导电载流子存在时，比如能带有交迭，导电电子存在于上面的能带，空穴存在于下面的能带，可以证明其霍尔系数：; 上述磁场输运过程的讨论中有一个推论值得注意，即x方向的电流本身并不受磁场的影响，其电阻与磁场无关，其原因在于影响x 方向电流的Lorentz 力与霍尔电场力平衡，相互抵消了，使得电子沿水平方向流经样品时，“无视”该磁场的存在。磁致电阻为零。但实验结果并不是这样，虽然很多金属的磁致电阻都不大，但并不为零。一些铁磁金属还会有较大的数值。近十几年来，发现了一些磁致电阻特别大的材料，并获得了巨大应用。;霍尔效应和磁致电阻;霍尔效应;霍尔效应;霍尔效应;双能带模型（磁致电阻）;低磁场近似;高磁场近似;磁致电阻;磁致电阻;开轨道和磁致电阻;晶体电子在固定磁场和交变电场的运动行为;四、电子回旋共振（electron cyclotron resonance); 电子回旋共振不仅可以测量载流子的有效质量m* ，还可以根据出射波的偏振方向来判断电场的能量是被电子还是被空穴吸收的。 在自由电子情形，可以算出： 当B =1KGs 时，fc = 2.8 GHz （千兆赫）属于微波波段。; 电子回旋共振常被广泛地用来测定半导体导带底电子或价带顶空穴的有效质量，研究其能带结构。 在半导体的导带底或价带顶附近，其等能面一般为椭球面，在主轴坐标系中，有;其中，α、β、γ为磁场在主轴坐标系中的方向余弦。 由于电子在运动过程中会受到声子、晶格缺陷以及杂质的散射，因此，为了能观察到回旋共振现象，必须满足ωcτ 1，其中τ 是电子在相邻两次碰撞间的平均自由时间。通常，实验都必须在极低温度（液He温度）下，选用高纯的单晶样品，以提高τ 值，同时加强磁场以提高ωc 。近年来，利用红外激光为交变讯号源，可以观测到非常清晰的共振线。;能带结构的几种实验方法;能带结构的实验方法;;一. 软X射线发射谱：;二. 光吸收;三、角分辨光电子能谱;The ARPES Apparatus at SSRL(Stanford Synchrotron Radiation Lightsource);怎么测能量;怎么测动量;能量与动量对应起来;