微波技术知识基础课件第四章微波集成传输线.ppt

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微波技术知识基础课件第四章微波集成传输线.ppt

第4章 微波集成传输线;4.1 带 状 线   带状线(stripline)又称三板线,由两块相距为b的接地板,与中间的宽度为W厚度为t的矩形截面导体带构成,接地板之间填充均匀介质或空气,如图4.1-1(a)所示。   带状线可以替代同轴线制作高性能(宽频带、高Q值、高隔离度)无源元件;但它不便外接固体微波器件,因而不宜用做有源微波电路。;图 4.1-1 带状线的结构与场结构;  带状线具有两个导体,且为均匀介质填充,故可传输TEM导波,且为带状线的工作模式,图4.1-1(b)表示其电磁场结构。直观上,带状线可以视为由同轴线演变而成:将同轴线内外导体变成矩形,令其窄边延伸至无限远便成了带状线。然而,也像同轴线一样,带状线也可存在高次型TE或TM模。通常选择带状线的横向尺寸:b<λmin/2,W<λmin/2,接地板宽度a=(5~6)W,以避免出现这些高次模。   这种两侧边开放的带状线的特性分析,不像金属波导和同轴线那样简单。但我们关心的是带状线的TEM特性,通过静电分析方法,例如保角变换就可以获得带状线电路设计所需的全部数据。;  1.带状线的TEM特性   像一般传输线一样,带状线的基本特性参数是特性阻抗Z0、衰减常数α和波导波长λg(或传播常数β)。   (1) 相速度和波导波长   由于是TEM模,kc=0,λc=∞,故带状线的相速度由式(1.4-44), (4.1-1) 式中c为自由空间光速。传播常数β则为 (4.1-2);  如图4.1-1(b)所示,考虑到边缘场的影响,中心导体带宽度应加宽,其效果相当于导体带两端加段圆弧,其半径以R表示,则导体带的宽度应增加为We+2R,一般取R=0.220 5b,这样导体带宽度就变成We+0.441b。导体带与一边接地板之间的单位长度电容应为ε(We+0.441b)/(b/2)= 2ε(We+0.441b)/b,带状线单位长度电容则为 代入式(4.1-4),得到带状线特性阻抗为 (4.1-5a);式中We是中心导体带的有效宽度(effective width): (4.1-5b) 式(4.1-5)是假定零导体带厚度,其精度约1%。由此式可见,带状线的特性阻抗随导体带宽度W增大而减小。;  带状线电路的设计通常是给定特性阻抗和基片材料(已知εr和b),要求设计导体带宽度W。此时可用由式(4.1-5)得到的如下综合公式: (4.1- 6) 式中 ;  科恩(Cohn,S.B.)最先应用保角变换方法求得零厚度导体带带状线的特性阻抗;对于非零导体导体带,他将厚度的影响折合成宽高比(W/b)来计算,从而得到如图4.1-2(a)所示实用特性阻抗曲线①。其精度约为1.5%。应用此曲线,若给定εr、W/b,便可查得特性阻抗值;若已知特性阻抗Z0和εr、b,便可求得导体带宽度W。;图 4.1-2 带状线特性阻抗曲线 (a) 一般带状线;(b) 屏蔽带状线;图 4.1-2 带状线特性阻抗曲线 (a) 一般带状线;(b) 屏蔽带状线;  惠勒(Wheeler,H.A.)用保角变换法得到的如下有限厚度导体带带状线特性阻抗公式可用于带状线电路的CAD② (4.1-7) 式中 ;而 式中t为导体带厚度。当W/(b-t)<10时,式(4.1-7)的精度优于0.5%。;  若已知特性阻抗Z0和εr,非零厚度带状线导体带宽度可用如下综合公式计算: (4.1-8) 式中 ;  表4.1-1是用式(4.1-8)编程计算得到的带状线特性阻抗数据表,可供设计用参考。;  3) 衰减常数   带状线的损耗包括导体损耗和介质损耗,总的衰减常数为 α=αc+αd         (4.1-9) 式中αc是中心导体带和接地板的导体衰减常数,αd是介质的衰减常数。   介质的衰减常数为 (4.1-10);  导体衰减常数可用2.4节的惠勒增量电感法则求得,近似结果为(单位为Np/m) (4.1-11) 式中 t是导体带厚度。;  导体带和接地板的材料为铜的带状线,其αc可用如下近似公式计算: (4.1-12) 式中,       ,频率f的单位为GHz,t和b的单位为m。式(4.1-12)的适用范围为0.003≤t/b≤0.030。;  2.带状线的静态近似数值解法   带状线以TEM模工作,两接地板之间的场满足拉普拉斯方程: (4.1-13) 图4.1-1(b)所示带状线两侧边开放,但电力线主要集中在中心导体带周围。我们可以在一定距离处截断,在|x|=a/2处放置平面金属壁来简化,得到如图4.1-3所示分析模型。这里要求ab,使中心导体带周围的场不致被此金属壁扰动。这样便得到一封闭的有限区域,位函数在其中满足拉普拉斯方程:  (4.1-14a) 边界条件为 (4.1-14b);图

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