微电子学导论第二章_MOSFET逻辑的设计.ppt

1 超大规模集成电路与系统导论 第二章 MOSFET逻辑设计 2.1 理想开关与布尔运算 2.2 MOSFET开关 2.3 基本的CMOS逻辑门（组合电路） 2.5 传输门电路（组合电路） 2.6 基本的时序电路(SR锁存器与时钟控制SR锁存器) 第一部分 硅片逻辑 2 组合逻辑与时序逻辑 组合逻辑：输出仅为输入的函数 时序逻辑：输出不仅和输入有关， 还和和前一个输出状态有关 3 2.1 理想开关与布尔运算 理想开关的高电平有效的控制端A：A=1时开关闭合-将左边的输入变量x无损耗地送至右边的输出变量y；A=0时，开关断开，x与y的关系不确定。这种行为特征的逻辑方程表示为： 4 2.1 理想开关与布尔运算 高电平有效的理想开关的串联： 5 2.1 理想开关与布尔运算 高电平有效的理想开关的并联： 8 2.1 理想开关与布尔运算 低电平有效的理想开关的串联： 不能实现完整的“或非”操作，当控制端A或B一个为高电平时，输出并不为“0”，而是不定态 9 2.1 理想开关与布尔运算 低电平有效的理想开关与高电平有效的理想开关通过合理并联实现多路选择器的功能： 10 2.2 MOSFET开关 MOSFET是在高密度数字电路中用来传输和控制信号的电子器件，为“金属-氧化物-半导体-场效应晶体管” Metal-Oxide-Semiconductor field-effect transistor）。 互补MOS（CMOS）由NMOS和PMOS两种类型的晶体管构建逻辑电路。NMOS在其导电沟道中以带负电荷的电子作为电流。PMOS在其沟道中以带正电荷的空穴作为流。栅极（gate或Poly或Poly-Silicon）作为器件的控制电极，其作用就仿佛开关的控制端。在栅极加电压就可以决定在源端和漏端之间的电流。 11 2.2 MOSFET开关 NMOSFET与PMOSFET的符号 12 2.2 MOSFET开关 （复习） 13 2.2 MOSFET开关 布尔值与电压之间的转换 单电源和电压 低电平：10%VDD（~20%VDD)高电平：80%VDD 14 2.2 MOSFET开关 （1）NFET开关特性：理想上，NFET是高电平控制的开关： NFET能无损耗地传递任何x值吗？ 15 2.2 MOSFET开关 （2）PFET开关特性：理想上，PFET是低电平控制的开关： PFET能无损耗地传递任何x值吗？ 16 2.2 MOSFET开关 （2）PFET开关特性：理想上，PFET是低电平控制的开关： PFET能无损耗地传递任何x值吗？ 17 2.2 MOSFET开关 阈值电压VT：(复习）每个MOSFET都有一个特性参数VT ，它决定有效的栅极电压的范围。对NFET来说： 截止： 导通： 18 2.2 MOSFET开关 截止： 导通： PFET与NFET互补 19 2.2 MOSFET开关 传输特性与阈值电压损失 （1）NFET传输高电平VDD时，输出电压减小为 阈值电压损失 20 2.2 MOSFET开关 传输特性与阈值电压损失 （2）PFET传输低电平“0”时，输出电压变为： 阈值电压损失 21 Threshold Drops阈值电压损失 VDD VDD  0 0  VDD VDD 0  VDD - VTn VDD VDD VDD  |VTp| S D S D VGS S S D D VGS 22 2.2 MOSFET开关 传输特性与阈值电压损失的小结： 23 2.3基本CMOS逻辑门 CMOS互补对 24 2.3基本CMOS逻辑门 （1）反相器 25 0 CMOS Inverter A Y 0 1 1 0 OFF ON 1 ON OFF 26 2.3基本CMOS逻辑门 （2）与非门（NAND） 27 CMOS NAND Gate A B Y 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 28 NAND版图与电路（预习） A Out GND B 2-input NAND gate 2.3基本CMOS逻辑门 29 2.3基本CMOS逻辑门 （3）或非门（NOR） 30 Complex CMOS Gate（扩展学习） OUT = D + A • (B + C) D A B C 2.4 CMOS复合逻辑门 31 构建Complex CMOS Gate（扩展学习） 2.4 CMOS复合逻辑门 32 OAI22 Logic（扩展学习） C A B X = (A+B)•(C+D) B A D C D A B C D 2.4 CMOS复合逻辑门 33 2.5 传输门电路 CMO