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02n80c3(MOS管)
SPD02N80C3
TM
CoolMOS Power Transistor
Product Summary
Features
V DS 800 V
• New revolutionary high voltage technology
R @ T = 25°C 2.7 Ω
DS(on)max j
• Extreme dv/dt rated
Q g,typ 12 nC
• High peak current capability
• Qualified according to JEDEC1) for target applications
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Ultra low gate charge PG-TO252-3
• Ultra low effective capacitances
TM
CoolMOS 800V designed for:
• Industrial application with high DC bulk voltage
• Switching Application ( i.e. active clamp forward )
Type Package Marking
SPD02N80C3 PG-TO252-3 02N80C3
Maximum ratings, at Tj =25 °C, unless otherwise specified
Parameter Symbol Conditions Value Unit
Continuous drain current I D T C=25 °C 2 A
T C=100 °C 1.2
Pulsed drain current2) I D,pulse T C=25 °C 6
Avalanche energy, single pulse E AS I D=1 A, V DD=50 V 90
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