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ARRAY製程 物質四態 1蝕刻技術分類 WET etching -溼蝕刻技術 DRY etching -乾蝕刻技術 FAB II 蝕刻機斜式搬送 FAB II 蝕刻機斜式搬送 FAB II 蝕刻機斜式搬送 傾斜式搬送純水用量 剝膜目的 將已經蝕刻出所需求圖形之基板，以藥液將覆蓋於圖形上之光阻去除之工程 剝膜液的性能 PECVD 簡介 PECVD應用： 非晶矽膜 (a-Si) PECVD應用：氮化矽 (Silicon Nitride)SiNx Gate Driver Source Driver Array面板訊號傳輸說明 G1 G2 G3 Gm Gm-1 S1 S2 S3 Sn-1 Sn Source 線 儲存電容 Gate 線 液晶電容 TFT Array面板說明 com ITO CLC * * 光罩製程步驟 基板 成膜 光阻 光罩 光源 曝到光部份可 被顯影液溶解 剝膜後圖案形成 顯影 蝕刻 A A’ A A’ 1. GE製程 璃 板 玻 基 Gate成膜 Al:2500? Gate蝕刻 Al:2500? 閘極(Gate):2300? 2. SE製程 GI成膜 SiNx:3000? GI成膜 SiNx:1000? 閘極絕緣層(SiNx):3000?+1000? a-Si成膜 a-Si:1500? 半導體層(a-Si):1600? n+成膜 n+ :300? 歐姆接觸層(n+ a-Si):300? SE蝕刻 3. SD製程 SD成膜 Cr :4000? SD蝕刻 4. CH製程 5. PE製程 BCE蝕刻 源極金屬層(Source):4000? 汲極金屬層(Drain):4000? 完成!後流至 ARRAY TESTER工程 CH成膜 SiNx:3400? 保護層(SiNx):3400? CH蝕刻 ITO成膜 ITO:850? ITO蝕刻 ITO層:850? PVD: 導電性薄膜 GE工程: gate electrode, (AL) SD工程: source electrode, (Cr) PE工程: pixel electrode, (ITO) CVD: 半導電性薄膜 絕緣性薄膜 成膜工程 高溫 低溫 離子 原子 電子 離子 電漿態 氣態 液態 固態 原子 + 電子 + + + + + + + + + + + + + + + + Cathode Anode Target Substrate Ar+ plasma Chamber wall Sputter裝置圖 + _ Pump 黃光製程 因為在微影製程中所使用的光阻材料屬於感光性高分子材料。 這種感光性材料對於光在波長500 nm以下的區域非常敏感，為了使光阻在製程前不受外在環境的光線影響，一般微影需的照明光波長都在黃光範圍的500 nm左右，以確保光阻的品質，故又稱為黃光區。 正光阻、負光阻 曝到光部份產生分子 分解可被顯影液溶解 剝膜後圖案形成 顯影後 蝕刻 光罩 光源 光罩上的Pattern 曝到光部份產生分子 結合不被顯影液溶解 剝膜後圖案形成 顯影後 蝕刻 正光阻所製造出來的Pattern與光罩上的相同 ，負光阻則反之。 FX-21S Main Body 基板平台 光罩平台 投影鏡頭 光源 避震儀 聚焦鏡頭 FX-21S New Exposure Technology 基板 光源 Mask Lens 周邊曝光 目的：將基板 周圍未曝到光部分，進行曝光。 光源：紫外光。 Pattern已曝光區域 周邊曝光區域 10度 Nozzle 蝕刻部斜式搬送方式 Nozzle噴灑 基板頃斜水平搖擺 蝕刻部斜式搬送方式 10度 Nozzle 水洗部斜式搬送方式 水平式蝕刻 傾斜式蝕刻 水平式搬運 傾斜式搬運 FAB I Wet etcher FAB II Wet etcher PR Thin Film (pattern) Substrate 界面活性劑：MEA （70﹪） MonoEthanolAmine, HOCH2CH2NH2 ■濕潤能力 ■浸透力 ■溶解能力（只形成可溶解之micell） ☆溶劑：DMSO（30﹪） DiMethylSulfOxide, (CH3)2SO ■溶解力 ■浸透力 ■Polymer等之親和力 乃是利用電漿內的高能電子，撞擊製程氣體分子，斷裂其化學鍵，提高活性，在較低的製程溫度下於加熱的基板表面形成化學反應，而形成所需要的固態沉積。 Pump e- Plasma A A* hu e- e- e- e- RF gas + 反應氣體 (Gas Source)： SiH4(Silan