纳米晶体成核和生长机制直接原位观测.pptVIP

* * 3 成核诱导时间和剂量 ◆诱导时间：实现从一个稳定的银原子浓度过饱和状态到检测到纳米晶体之间的时间段 。 tind是检测到晶体前的诱导时间 tg为核生长到可检测尺寸所需的时间 ti是建立一个稳定状态籽晶群所需要的时间 tn是成核所需的时间 图1 3 成核诱导时间和剂量 ◆ dind(诱导阈值剂量)被通过电子剂量率中位数乘以诱导时间得出。 ◆ 诱导阈值剂量是一个通用的阈值，它指的是纳米晶体成核和生长到检测极限以上所必需的累积电子剂量。 以（c）中总的粒子数（左轴）和累积电子剂量（右轴）作时间的函数图像。 垂直虚线标记成核诱导时间的中位数 水平的虚线标记相应诱导量的中位数 图1 4 纳米晶体的成长 图2 4 纳米晶体的成长 图像表示出了在t = 0（a），15（b），45（C），75（d）时的生长态势系列。该时间与最初暴露于电子束的区域有关。（movie NO.1）M =100000×，ie=40 pA，电子剂量率3.37electrons/?2s。 d组中的比例尺为200nm。 PS ：粒径检出极限为5nm 图2 4 纳米晶体的成长 总粒子数比（NP）与时间的函数。平均每5秒对数据进行一次过滤。 纳米晶体并没有立即增长而是在几秒钟之后才能观察到。 初始的2s照射还是太小，此时大部分的核低于5nm的检测极限。 在初始时间之后，约20秒进行一次检测，成核速率急剧增加。 斜率 图2 4 纳米晶体的成长 箭头（b-d）指定的纳米晶体的半径与时间的函数。平均每10秒对数据进行一次过滤。 ●纳米晶体的生长速率并不恒定，在第一个20-30 s的照射的纳米晶体生长迅速，然后生长速度明显减慢。 ●纳米晶体三维生长（从视频文件NO.1中可看出） 图2 4 纳米晶体的成核 图3 4 纳米晶体的成核——束电流 在四个不同的束流下，纳米晶体的数量与时间的函数，M =100000×，像素停留时间为5μs：（红色三角形），ie= 40，（蓝方）ie= 20 PA，（绿钻），ie=14 PA（黄色倒三角形），ie= 7 PA。 图3 ●低于电子剂量率dthr= 0.5electron/（A2）阈值（7 pA的束电流）， 在视野中无法观察到纳米晶体的成核和生长过程 ●在最高的三个电子束电流之间，纳米晶成核的初始速率没有改变 ?20％以上，这表明电子束电流对成核速率并没有显着的影响 4 纳米晶体的成核——束电流 表示每个电子束电流下新生粒子数量与时间的函数直方图。 图3 在40 pA的束电流下，在第一个STEM扫描 后有一个粒子的突变被检测到，20s后，纳米 晶体的数量开始稳步下降。 20 pA的诱导时间 分布的峰值没有集中在第一次的STEM中， 而是向右侧偏移了10秒，分布的宽度拉伸至 约40 s。当电子束电流被降低到14 pA时，分 布宽度的进一步拉伸至约60秒。在最低束电 流（7 PA）时，诱导时间分布涵盖了整个80s 的采样周期。这部分地是由于在这个电子束 电流下特别低的分辨率对使用图像分析算法检 测粒子造成困难。 4 纳米晶体的成核——束电流 诱导阈值剂量与每次扫描的电子剂量的函数箱线图 具有最小的电子束电流（7 pA的）的在左边，依次增加到右边最大的电子束电流（40 pA）。每次扫描的电子剂量被用来代替束电流以方便比较束电流、放大倍数和像素停留时间的结果 图3 4 纳米晶体的成核——束电流 诱导阈值剂量利用图3b的诱导时间乘以在那个电子束电流下相应的电子剂量率计算得出 。 图3 虽然每次扫描为2.21electrons/?2的诱导阈值剂量分布与其他束电流分布统 计不同，所有诱导阈值剂量的中位数变化没有超过25％。四个诱导阈值剂量 的平均值为23.8±3.24electrons/?2。 4 纳米晶体的成核——束电流（像素停留时间） 图4 在四种不同的像素停留时间下纳米晶体的数目与时间的函数图像，M=100000×，ie=20 pA。停留时间分别为：2（红色三角形），5（蓝色方框），10（绿钻），和15us（黄色倒三角形）。 4 纳米晶体的成核——束电流（像素停留时间） 图4 随着像素的停留时间增加，第一次扫描检测到的纳米晶也单调递增， 与增加每次扫描的电子剂量和电子束电流所观察到的相似（图3a） 每个像素停留时间下，新粒子数与时间的函数直方图 4 纳米晶体的成核——束电流（像素停留时间） 图4 随着像素停留时间增大， 每次扫描的电子剂量增加， 诱导时间分布宽度降低 诱导阈值剂量与每次扫描的电子剂量的函数箱线图 4 纳米晶体的成核——束电