霍尔效应和应用 讲义.pdfVIP

实验4.7 霍尔效应与磁场测量 置于磁场中的载流体，如果电流方向与磁场垂直，则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附 加的横向电场，这个现象是霍普斯金大学研究生霍尔 1879年发现的，霍尔的发现在当时震动了科 学界，这种效应被称为霍尔效应。 随着半导体物理学的迅速发展，霍尔系数和电导率的测量已成为研究半导体材料的主要方法 之一。通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以判断材料的导电类型、载流子浓度、载 流子迁移率等主要参数。若能测量霍尔系数和电导率随温度变化的关系，还可以求出半导体材料 的杂质电离能和材料的禁带宽度。如今，霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段， 而且随着电子技术的发展，利用该效应制成的霍尔器件，由于结构简单、频率响应宽（高达10GHz）、 寿命长、可靠性高等优点，已广泛用于非电量测量、自动控制和信息处理等方面。 霍尔效应发现一百多年来，在基础和应用研究范围不断扩展壮大，反常霍尔效应、自旋霍尔 效应、轨道霍尔效应、整数量子霍尔效应、分数量子霍尔效应、反常量子霍尔效应、量子自旋霍 尔效应等相继被发现，并构成了一个庞大的霍尔效应家族。此领域的相关研究也被多次授予诺贝 尔物理学奖：量子霍尔效应-1985年诺贝尔物理学奖，分数量子霍尔效应-1998年诺贝尔物理学奖。 【开篇设问】 1．霍尔效应在基础研究和应用研究方面有什么价值？ 2．如何利用实验室提供的仪器测量半导体材料的霍尔系数？ 3．怎样判断霍尔元件载流子的类型，计算载流子的浓度和迁移速率？ 4．伴随霍尔效应有那些副效应？如何消除？ 5．如何利用霍尔效应原理测量磁场？ 6．如何利用霍尔元件进行非电磁的物理量的测量？ 7．若磁场的法线不恰好与霍尔元件片的法线一致，对测量结果会有何影响？如何用实验的方法 判断B与元件法线是否一致？ 8．能否用霍尔元件片测量交变磁场？ 【实验目的】 1．通过实验掌握霍尔效应基本原理，了解霍尔元件的基本结构； 2．学会测量半导体材料的霍尔系数、电导率、迁移率等参数的实验方法和技术； 3．学会用“对称测量法”消除副效应所产生的系统误差的实验方法。 4．学习利用霍尔效应测量磁感应强度B及磁场分布。 【实验原理】 一、霍尔效应原理 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子 （电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷 的聚积，从而形成附加的横向电场E 。对于图4.7－1所示的半导体试样，若在X方向通以电流 H Is，在Z方向加磁场B，则在Y方向即试样A，A′两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的附加 电场。电场的指向取决于试样的导电类型。对图4.7－1 （a）所示的N型试样，霍尔电场E 朝下， H 图4.7－1 （b）所示的P型试样E 朝上。 H 显然，该电场是阻止载流子继续向侧面偏移，当载流子所受的横向电场力f eEe H 与洛仑兹 力f evB相等时，样品两侧电荷的积累就达到平衡，故有 m eE evB （4.7-1） H 图4.7－1. 霍尔效应原理示意图，a）为N型（电子） b）为P型（孔穴） 其中E 称为霍尔电场， 是载流子在电流方向上的平均漂移速度。设试样的宽度为b，厚度 H v 为d，载流子浓度为n，则 q nlbde I   nevbd （4.7-2） S t t 由（4.7-1）、（4.7-2）两式可得：