金属膜与氧化硅钝化膜.pptVIP

* 金属膜和氧化硅钝化膜 2012.7 * 半导体器件及集成电路中常用的薄膜包括金属膜（单层和多层）及介质膜（钝化膜及光学膜）。金属膜中如Au、Pt、TI、TIN、Cr、Al、AlCu、AuGeNi、TiPtAu、ZnAu、AuSn等金属及合金，主要用于N型P型半导体材料的肖特基接触、欧姆接触、阻挡层、金属引线及键合金属。在硅器件中还常用到一些硅化物，如TISi、AlSiCu、W5Si3等金属硅化物。 介质膜往往用作为钝化保护、多层布线的中间介层.SiO2, Si3N4、 PI胶、多晶硅、AL2O3等。不同的介质膜按照一定的光学厚度又可以组合成光学膜,例如Ta2O5与SiO2多对组合等，可起到对某一波长的出射光的增透（减反射Ar）或高反射(Hr)的作用。总之薄膜技术在半导体技术中占有重要地位。 *常用的金属膜及介质膜体系及应用: * 目前LED中常用的金属膜（电极）是CrPtAu。 PN结断面的钝化保护用氧化硅. 4.1 欧姆接触及电极 N-GaN: CrPtAu金属膜系中的Cr属于功函数较低的金属，容易与N-GaN形成欧姆接触，除此之外，还有TiAlTiAu等。 欧姆接触的金属膜系的选择往往在考虑其与P或N型GaN形成欧姆接触之外，还要兼顾其反射率及金属膜系中温度对不同金属间互扩散的影响，以保证欧姆接触的稳定性及可靠性。 * P-GaN:传统的LED P-GaN的欧姆接触一般用NiAu（厚度决定了光的穿透率，即影响亮度），在含有氧的气氛中退火。 目前，蓝光LED中P-GaN的欧姆接触用ITO, N-GaN的欧姆接触用CrPtAu（也是P,N电极引线）,同时与ITO形成良好的接触，工艺要简单。Pt是防止Au扩散的阻挡层，从而保持稳定的欧姆接触特性。 N-GaN的欧姆接触用Cr或TiAlTiAu（Ti/Al的组分比决定了退火温度，第二层Ti是阻挡层）. * 值得一提的是在微电子和光电子技术中， Al和Au 很容易形成合金（称为紫斑），且随温度的变化，Al和Au 组分变化，阻值变化，影其稳定性，所以在Au层前要加一层Ti作为阻挡层。 N-GaN的欧姆接触CrPtAu中的Pt也是同样的道理。 此外，Al的使用一定要谨慎，一是它的抗蚀性差，二是作欧姆接触的稳定性差。 从量产和良率角度来考虑，希望工艺制程尽量简单，所以N-GaN的欧姆接触和P,N 电极均采用CrPtAu一次完成，而不采用分别 分步制备P,N-GaN的欧姆接触，然后再作金属电极引线的办法。 另外，前面也提到欧姆接触金属体系的反射率的问题，二者若能兼顾更好，但前者更为重要（影响工作电压Vf值）。 对于照明用的LED来讲，Ag,Al是两种反射率较高的金属，Ag95%,Al在75%左右。Ag的黏附性差，Al的黏附性还好，但抗蚀性差。一般来讲，在正装结构中铝被用来背镀（在芯片的背面的蓝宝石面上）作为反射镜。Ag在垂直结构中有被采用。 * Cr是一种黏附性好的金属，但氧化铬则与金属的黏附性差。所以，在蒸镀 过程中要注意予镀（Cr对气体有吸附性）和晶片的加热温度（加热有利于增加黏附性）。 Cr的厚度一般是200-800A; Pt的厚度一般是200-500A;  Au的厚度一般是1.2-1.5um; Cr的厚度调整主要是考虑其粘附性， Pt的厚度主要是考虑其抗Au的向内的扩散， Au的厚度决定了电极的可焊性，同时也影响到LED的正向电压Vf值。 * * * 膜厚测量多采用石英膜厚控制器。最终厚度可用台阶仪校正. * EB蒸镀金属的过程是无损伤的过程。 * 合金的蒸镀要考虑其组分变化。 * 加热烘烤可提高粘附性，但要考虑温度对lift-off工艺的影响。 尤其是蒸镀厚膜时更要注意。 制作前基片的清洗，如去除基片的自然氧化层等； 清洗后的基片尽快进炉； 基片清洗不净不但污染腔室，而且薄膜粘附不牢； 粘附性能不好的材料一定要加过渡金属，常用的粘好附性材料是Ni、Ti、Cr，Al等，但具体情况要根据它们的物理和化学性质综合考虑。例如，Al任何酸碱都能被酸碱腐蚀，既是显影液，去胶剂也能腐蚀，这就需要考虑工艺兼容性问题了。 相关因素; 进炉准备: 4.2 P-N结断面（台面断面）的钝化保护 LED的P-N结断面（台面断面）的钝化保护一般采用氧化硅（或氮化硅），厚度1000-2