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LED基礎知識  LED的發光原理 LED的光、色、電特性 LED的種類 LED的特點 白光LED的實現 LED的應用 LED的發展和應用前景 LED是“light emitting diode”的英文縮寫。 中文名:發光二極體。 LED是一種將電能轉換為光能的固體電致發光(EL) 半導體器件。 LED實質性核心結構是由元素譜中的Ⅲ-Ⅳ族或Ⅲ-Ⅴ族化合物材料構成的p-n結。 1907年，Henry Joseph Round在觀測金剛砂(SiC) 電致發光的現象時，初次觀察到了無機半導體的發光現象。但因為無機半導體發出的黃光太過暗淡，他很快就放棄了這方面的研究。 到20世紀20年代，德國科學家O.W.LOSSOW在研究SiC檢波器時，再次觀察到這種現象，但當時受到材料製備和器件工藝水準的限制，沒有被迅速利用。 1962年，GE公司Nick Holonyak帶領的一個團隊成功演示出第一個紅光GaAsP發光二極體，僅6年後，Monsanto(孟山都)研發的指示燈以及Hewlett-Packard（IBM）研發的電子顯示幕就將商業化LED推向了市場。 1965年僅0.1LM/W ，指示燈 1968年，人們通過N摻雜工藝，使GaAsP LED的發光效率達到1lm/w,並出現了橙色光和黃色光。真正具有了商業價值。 到20世紀80年代，使用AlGaAs(砷鎵化鋁)的第一代超亮LED誕生。產品首先是紅色、然後是黃色，最後是綠色。應用領域多 到20世紀90年代，日本東芝公司和美國的HP公司，先後研發成功雙異質結與多量子阱結構的橙色和黃色InGaAlP(銦鎵鋁化磷)的組合又被用來生產超亮紅色、桔色、黃色及綠色LED. 20世紀90年代中期，日本的日亞（NICHIA）公司和美國的CREE公司，分別在藍寶石和SIC襯底上成功研發了超亮藍光GaN(氮化鎵)LED，高亮度綠光、紫光及藍光InGaN(氮化銦鎵)LED隨後也研發成功。 物體的 發光方式 目前發光二極體用的都是直接帶隙材料 直接帶隙材料中，電子與空穴複合時，其發光躍遷（Radiative Transition）有以下可能性： LED自發性的發光是由於電子與空穴的複合而產生的。 當LED兩端加上正向電壓，電流從LED陽極流向陰極時，半導體中的少數載流子和多數載流子發生複合，放出過剩的能量而引起光子發射，半導體晶體就發出從紫外到紅外不同顏色的光。 各種顏色光的波長 光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Ｅg有关，即  λ≈1240/Eg（mm） 電子由導帶向價帶躍遷時以光的形式釋放能量，大小為禁帶寬度Eg。 Eg越大，所發出的光子波長就越短，顏色就會藍移。反之， Eg越小，所發出的光子波長就越長，顏色就會紅移。 若要產生可見光（波長在380nm紫光～780nm紅光），半導體材料的Eg應該在1.59～3.26 eV之間。 在此能量範圍之內，帶隙為直接帶的Ⅲ-Ⅳ族或Ⅲ-Ⅴ族半導體材料只有GaN、 GaP等少數材料，也可以利用Ⅲ-Ⅳ族或Ⅲ-Ⅴ族二元化合物組成新的三元或四元Ⅲ-Ⅳ族或Ⅲ-Ⅴ族固溶體，通過改變固溶體的組分來改變禁帶寬度與帶隙類型。 光的顏色與晶片的材料有關係。 材料不一樣，電子和空穴複合的能量不一樣，發出的光也不一樣。 紅、黃光晶片的主要材料：AlGaInP、 GaAlAs 藍、綠光晶片的主要材料：GaN、 InGaN 光是一種能量的形態，是一種電磁波。 在同一介質中，能量從能源出發沿直線向四面八方傳播,這種能量傳遞的方式通常叫做輻射。 通常可以用波長來表達人眼所能感受到的可見光的輻射能量。 ?LED是利用化合物材料製成pn結的光電器件。它具備pn結結型器件的特性： （1）電學特性 （2）光學特性 （3）熱學特性 電學特性 LED的伏-安（I-V）特性 （1） LED的伏-安（I-V）特性是流過晶片PN結電流隨施加到PN結兩端上電壓變化的特性，它是衡量PN結性能的主要參數，是PN結製作優劣的重要標誌。 （2）LED具有單向導電性和非線性特性。 LED的電容一般包括PN結結電容和內引線分佈電容等在內的總電容,PN結電容占主要地位。 鑒於LED 的晶片有9×9mil (250×250um)，10×10mil，11×11mil (280×280um)，12×12mil (300×300um)，及封裝結構的不同，電容量也不同，有的遠小於1PF，有的則達100PF以上。 C-V 特性呈二次函數關係。由1MHZ 交流信號用C-V 特性測試儀測得。 回應時間 LED回應時間是指：通一正向電流時開始發光和熄滅所延遲時間，標誌LED反應速度。 回應時間主要取決於載流子壽命、器件的結電容及電路阻抗。 LED 的點亮時間